طراحی و شبیه سازی کلید MEMS با ایزولاسیون بالا برای کاربرد در فرکانس های بالا
Publish place: Electronics Industries Quarterly، Vol: 4، Issue: 4
Publish Year: 1392
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: Persian
View: 625
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
JR_SAIRAN-4-4_001
تاریخ نمایه سازی: 17 فروردین 1395
Abstract:
در این مقاله طراحی و شبیه سازی یک کلید MEMS برای کاربرد در محدوده فرکانس بالا ارائه شده است. ساختار طراحی شده یک کلید موازی خازنی in-line با تیر دو سر گیردار به شکل صلیب و از جنس طلا است این کلید در محدوده ی فرکانسی 20 تا 00 1 گیگاهرتز عملکرد بسیار مناسبی از لحاظ الکترومغناطیسی دارد، به طوری که ایزولاسیون بالای 23 dB و 26 dB را در حالت قطع به ترتیب در 20 و 0 10 گیگاهرتز تأمین می کند. همچنین تلفات انتقالی کلید در حالت وصل برابر 0/16 dB و1/2 dB در 20 و 80 گیگاهرتز است .طراحی به گونه ای انجام شده است که علاوه بر حصول عملکرد الکترومغناطیسی مورد نظر و مناسب، ولتاژ تحریک کلید نیز با طرحی نو کاهش یابد .نوآوری طرح در شکل صلیبی ساختار است که عامل کاهش ولتاژ تحریک نسبت به یک ساختار ساده است. ولتاژ تحریک ساختار 30 ولت است. تحلیل و معیارهای الکترومغناطیسی و مکانیکی به همراه نتایج شبیه سازی ارائه شده است.
Keywords:
Authors
سید محمد علوی
استادیار دانشکده فناوری اطلاعات، دانشگاه جامع امام حسین (ع)
رضا شایان فر
کارشناسی ارشد مهندسی برق الکترونیک، دانشگاه ارومیه