سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

شبیه سازی ترانزیستور بدون پیوند نانولوله کربنی با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی

Publish Year: 1393
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 683

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

JR_SAIRAN-5-2_001

Index date: 5 April 2016

شبیه سازی ترانزیستور بدون پیوند نانولوله کربنی با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی abstract

در این مقاله، ساختار ترانزیستوری به نام ترانزیستور بدون پیوند نانولوله کربنی را با استفاده از تابع گرین غیرتعادلی شبیه سازی کرده ایم. ترانزیستورهای بدون پیوند (JL-FET) ساختارهای بدیعی هستند که ضمن تسهیل فرآیند ساخت مشخصات الکترونیکی مطلوبی فراهم می کنند. ما با اعمال مفهوم بدون پیوند به ترانزیستورهای اثرمیدانی نانولوله کربنی ،( CNTFET) مشخصات الکترونیکی یک ترانزیستور اثرمیدانی نانولوله کربنی بدون پیوند (JL-CNTFET) را بررسی کرده و با ترانزیستور نانولوله کربنی معمولی ( C-CNTFET) مقایسه کرده ایم. پارامترهایی نظیر سویینگ زیرآستانه، نسبت جریان روشنی به جریان خاموشی و مشخصه خروجی ترانزیستور برای ساختارهای مذکور محاسبه شده اند. همچنین حساسیت (فرمول در متن اصلی مقاله) ترانزیستور JL-CNTFET به تغییر کایرالیتی و چگالی ناخالصی بررسی شد ه است. نتایج حاصل از شبیه سازی نشان می دهد که ترانزیستورهای نانولوله کربنی بدون پیوند با داشتن ولتاژ آستانه و شیب زیرآستانه کوچکتر و همچنین جریان خروجی بیشتر، در حدود دو برابر C-CNTFET گزینه مناسبی برای کاربردهای دیجیتال هستند. به منظور شبیه سازی کامپیوتری از روش حل خودسازگار معادله پوآسن و شرودینگر از طریق روال NEGF تحت شرایط بالستیک استفاده شده است.

شبیه سازی ترانزیستور بدون پیوند نانولوله کربنی با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی Keywords:

نانولوله کربنی , ترانزیستورهای بدون پیوند , ترانزیستور بدون پیوند نانولوله کربنی , تابع گرین غیرتعادلی

شبیه سازی ترانزیستور بدون پیوند نانولوله کربنی با استفاده از روش تابع گرین غیرتعادلی authors

صابر بربستگان

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی علوم و تحقیقات قزوین

علی شاه حسینی

استادیار دانشکده برق، دانشگاه آزاد اسلامی قزوین