ارائه یک روش جدید در طراحی مرجع ولتاژ شکاف باند با استفاده از ترانزیستورهای ماسفت درناحیه وارونگی قوی با نسبت رد منبع تغذیه بالا
Publish place: Electronics Industries Quarterly، Vol: 5، Issue: 4
Publish Year: 1394
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 1,921
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_SAIRAN-5-4_003
Index date: 5 April 2016
ارائه یک روش جدید در طراحی مرجع ولتاژ شکاف باند با استفاده از ترانزیستورهای ماسفت درناحیه وارونگی قوی با نسبت رد منبع تغذیه بالا abstract
در این مقاله یک مرجع ولتاژ شکاف باند با ترانزیستورهای ماسفت در ناحیه وارونگی قوی پیشنهاد شده است. مدار پیشنهادی نسبت رد منبع تغذیه بالا و حساسیت دمایی پایینی دارد و می تواند با ولتاژ تغذیه کمتر از 1 ولت نیز کار کند. در این طراحی نسبت ردمنبع تغذیه بهوسیله حلقه فیدبک و ولتاژ تنظیم شده، بهبود یافته است. این مدار درتکنولوژی 0/18μm سی ماس طراحی و در نرمافزار HSPICE شبیه سازی شده است. ولتاژ خروجی این مدار 466/7 میلی ولت و ضریب دمایی ولتاژ خروجی در بازه دمایی 20 - الی 100 درجه سانتیگراد 29/1ppm/c است. نسبت رد منبع تغذیه در فرکانس های پایین 109 دسی بل است. توان مصرفی این مدار در دمای اتاق و به ازای ولتاژ تغذیه 1/2 ولت برابر با 42 میکرووات است.
ارائه یک روش جدید در طراحی مرجع ولتاژ شکاف باند با استفاده از ترانزیستورهای ماسفت درناحیه وارونگی قوی با نسبت رد منبع تغذیه بالا Keywords:
ارائه یک روش جدید در طراحی مرجع ولتاژ شکاف باند با استفاده از ترانزیستورهای ماسفت درناحیه وارونگی قوی با نسبت رد منبع تغذیه بالا authors
محمدکریم علیزاده
کارشناسی ارشد برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک
حسین شمسی
استادیار دانشکده برق، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی