طراحی وشبیه سازی یک تمام جمع کننده جدید با PDP پایین

Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 649

This Paper With 16 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ITCC01_246

تاریخ نمایه سازی: 9 فروردین 1395

Abstract:

جمع کننده ها به دلیل توانایی در پیاده سازی چهار عمل اصلی (جمع، تفریق، ضرب و تقسیم) یکی ازپراهمیت ترین مدارهای محاسباتی محسوب می شوند و بهبود آنها عاملی بر ارتقای کلی سیستم است.جمع کننده ها در اکثر سیستم های دیجیتال در مسیرهای بحرانی قراردارند. بهبود یک تمام جمع کنندهعاملی برای بهبود سیستم های دیجیتال است. در سال های اخیر تلاش زیادی برای بهبود تمام جمعکننده ها صورت گرفته است. به دلیل مزایای Cmos همچون سرعت بالا و توان پایین این تکنولوژی، در چند دهه اخیر بسیار مورد توجه بوده است. اما با کاهش اندازه ترانزیستورها اینتکنولوژی با ضعف هایی همچون نشتی جریان همراه شد. از این رو محققان به تکنولوژی هایی همچوننانولوله های کربنی روآوردند.اکثر مدارهای ارائه شده با این تکنولوژی با استفاده از روش های جمع اکثریت و ترانزیستورهایعبور ارائه شده اند. روش جمع اکثریت باکمک تعداد زیادی خازن پیاده سازی می شود و اینموضوع باعث ضعف در عملکرد کلی مدار میگردد. از سوی دیگر روش ترانزیستورهای عبور، باافت ولتاژ خروجی همراه هستند. با توجه به نکات مذکور، در این مقاله تلاش شده است با استفادهروش پویا، از خازن های استفاده شده در مدار کاسته شود تا عملکرد کلی مدار بهبود یابد و دارای گردد.

Authors

حسین محمدی گهرویی

دانشکده مهندسی کامپیوتر – دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد- نجف آباد -ایران

محمدرضا شادی نژاد

دانشکده مهندسی کامپیوتر – دانشگاه اصفهان-واحد اصفهان-اصفهان-ایران

عباس اسدی آقبلاغی

شرکت کوثر سلامت سپاهان- اصفهان-ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • اسدی آقبلاغی، عباس، - عمادی، مهران - دولتشاهی، مهدی . ... [مقاله کنفرانسی]
  • (Moradi et al, 2012) (Khatir et al, 2011) (Asadi et ...
  • _ Intermatinral _ _ Techronl، v _ _ 28 آبان ...
  • ازتکنولوژی کربن نانو تیوب، چهارمین کنفرانس بین المللی مدیریت فناوری ... [مقاله کنفرانسی]
  • اسدی آقبلاغی، _ عباس _ - مقیمی، شکوفه."طراحی یک تمام ...
  • _ Intermatinral _ _ Techronl، v _ _ 28 آبان ...
  • (Navi et al, 2009) (Navi et al, 2011) ...
  • Chandrakasan, A. P., Sheng, S., & Brodersen, R. W. (1992). ...
  • Rabaey, J. M., Chandrakasan, A. P., & Nikolic, B. (2002). ...
  • R. Zimmermann, W.Fichtner.(1997). Low-power logic styles: CMOS versus pass- transistor ...
  • Abu-Khater, I. S., Bellaouar, A., & Elmasry, M. I. (1996). ...
  • Reddy, K. G. (2013). Low power-area designs of 1bit full ...
  • Navi, K., Maeen, M., Foroutan, V., Timarchi, S., & Kavehei, ...
  • Navi, K., , Foroutan, V., Azghadi, M. R., Maeen, M., ...
  • Branch, C. T. (2011). Six new Full Adder Cells Based ...
  • Mirzaee, R. F., Moaiyeri, M. H., & Navi, K. (2010). ...
  • Wairya, S., Nagaria, R. K., & Tiwari, S. (2011). New ...
  • _ S., & Ichihashi, T. (1993). Single-shell carbon nanotubes of ...
  • Ghorbani, A., Sarkhosh, M., Fayyazi, E., Mahmoudi, N., & Keshavarzian, ...
  • Navi, K., , Momeni, A., Sharifi, F. & Keshavarzian, P. ...
  • Navi, K., Rashtian, M., Khatir, A., Keshavarzian, P., & Hashemipour, ...
  • Khatir, A., Ab dolahzadegan, S., & Mahmoudi, I. (2011). High ...
  • Moradi, M., Mirzaee, R. F., Moaiyeri, M. H., & Navi, ...
  • Asadi A.A, Dolatshahi.M, Emadi.M, (20 15). Designing and Simulating a ...
  • نمایش کامل مراجع