بررسی اثر زمان واهلش بین ترازی بر احتمال اشغال الکترون لایه ویتینگ، تراز پایه و تراز برانگیخته در لیزرهای نقطه کوانتومی خودسامانی InGaAs/GaAs
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 463
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
LPPS01_039
تاریخ نمایه سازی: 19 اردیبهشت 1395
Abstract:
با حل معادلات آهنگ لیزر نقطه کوانتومیInGaAs/GaAs به روش رانگ-کوتا مربته چهارم و تحلیل آن اثر طول عمر واهلش بین ترازی را بر احتمال اشغال الکترون لایه ویتینگ WL تراز پایه و تراز برانگیخته مورد بررسی قرار میگیرد.
Keywords:
معادلات آهنگ لیزر – نقطه کوانتومی – لایه ویتینگ – تراز برانگیخته
Authors
میثم کشیری
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علی آباد کتول گروه فوتونیک
صالحه حکیمی فر
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علی آباد کتول گروه فوتونیک