ارائه مداری کم توان برای واحد تولیدکننده بیت نقلی درتمام جمع کننده سه ارزشی بااستفاده از تکنولوژی نانو لوله های کربنی
Publish place: 3rd International Conference on Applied Research in Computer Engineering and Information Technology
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 573
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CITCONF03_611
تاریخ نمایه سازی: 12 تیر 1395
Abstract:
منطقه چند ارزشی به علت مزایایی از قبیل کاهش خطوط ارتباطی، کاهش توان مصرفی و کاهش مساحت تراشه نسبت به منطقه دوازشی، مورد توجه زیادی واقع شده است در حال حاضر تکنولوژی ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی باقابلیت تنظیم آسان ولتاژ آستانه در کنار مزایای منحصر به فرد دیگر از قبیل مصرف توانکم جریان خاموشی پایین و انتقال جریان به صورت بالستیک انتخاب مناسبی برای پیاده سازی مدارهای چند ارزشی می باشد در اینمقاله ما بااستفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی مداری باساختاری ساده و مصرف توان پایین را برای واحد تولید کننده بیت نقلی در تمام جمع کننده سه ارزشی معرفی کرده ایم. براساس نتایج شبیهسازی مدار پیشنهادی جدید علاوه بر اینکه باعث کاهش بیش از 50% توان مصرف نسبت به طرح ارائه شده اخیر شده تخیر مدار را نیز بهبود داده است.
Keywords:
Authors
فرشته جعفرزاده پور
گروه مهندسی کامپیوتر دانشکده علوم دانشگاه آزاد اسلامی کرمان ایران
پیمان کشاورزیان
گروه مهندسی کامپیوتر دانشکده علوم دانشگاه آزاد اسلامی کرمان ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :