یک تقویت کننده کمنویز دیفرانسیلی محدوده گیگاهرتز یکپارچه بهبود یافته

Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 445

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ISCEE18_008

تاریخ نمایه سازی: 12 تیر 1395

Abstract:

در این مقاله، یک توپولوژی نوین low noise amplifier دیفرانسیلی با figure of merit و همچنین مصرف توان بهبود یافته ارائه شده است. این روش بر اساس یک طرح ترانسکانداکتوری جدید با قابلیت طراحی آسان است، که در آن، مسیر جریانهای ac و dc عبوری از سلفهای خطی ساز و بایاسینگ مدار از هم جدا شده اند. کاربرد توپولوژی پیشنهادی در طراحی ساده یک low noise amplifier دیفرانسیلی یکپارچه از نوع cmos در محدوده فرکانسی گیگاهرتز بررسی شده است. برای ارزیابی طرح پیشنهادی و مقایسه آن با کارهای اخیر، از نتایج شبیه سازی با استفاده از کیت طراحی CMOS 180nm TSMC RF استفاده شده است.

Authors

رسول آجرلو

دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد دماوند

حمیدرضا صدرمنوچهری نائینی

استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد دماوند