یک تقویت کننده کمنویز دیفرانسیلی محدوده گیگاهرتز یکپارچه بهبود یافته
Publish place: 18th Conference on Electrical Engineering OF Iranian Student
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 445
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE18_008
تاریخ نمایه سازی: 12 تیر 1395
Abstract:
در این مقاله، یک توپولوژی نوین low noise amplifier دیفرانسیلی با figure of merit و همچنین مصرف توان بهبود یافته ارائه شده است. این روش بر اساس یک طرح ترانسکانداکتوری جدید با قابلیت طراحی آسان است، که در آن، مسیر جریانهای ac و dc عبوری از سلفهای خطی ساز و بایاسینگ مدار از هم جدا شده اند. کاربرد توپولوژی پیشنهادی در طراحی ساده یک low noise amplifier دیفرانسیلی یکپارچه از نوع cmos در محدوده فرکانسی گیگاهرتز بررسی شده است. برای ارزیابی طرح پیشنهادی و مقایسه آن با کارهای اخیر، از نتایج شبیه سازی با استفاده از کیت طراحی CMOS 180nm TSMC RF استفاده شده است.
Keywords:
Authors
رسول آجرلو
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد دماوند
حمیدرضا صدرمنوچهری نائینی
استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد دماوند