مدل سازی وطراحی ترانزیسترهای بر پایه نانو وایر سیلیکانی
Publish place: 18th Conference on Electrical Engineering OF Iranian Student
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 522
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE18_045
تاریخ نمایه سازی: 12 تیر 1395
Abstract:
ترانزیستورهای نانووایر سیلیکانی می توانند با قطری در حدود چند نانومتر و با شکل های استوانه ای، مستطیلی و یا مثلثی تولید شوند. این ترانزیستورها می توانند بعنوان بلوک های اصلی برای قطعات نانوالکترونیک مانند ترانزیستورهای اثر میدان مورد استفاده قرار بگیرند.در این مقاله عملکرد نانو ترانزیستور ساختار ترانزیستور Si NWFET با نرم افزار سیلواکو، و بررسی تاثیر پارامترهای ساختار از جمله ضخامت لایه ی اکسید، ضخامت لایه ی نانووایر، میزان ناخالصی و غیره، می پردازیم و یک ساختار بهینه برای Si NWFET ارائه می کنیم. مدل سازی و در نهایت ساختار پیشنهادی از لحاظ ابعاد و پارامترهای فیزیکی بهینه سازی خواهد شد که این کار با نرم افزار سیلواکو انجام خواهد شد.
Keywords:
Authors
محمدامین ناصری
گروه برق و الکترونیک، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد، ایران
محمدرضا شایسته
گروه برق و الکترونیک، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :