یک نوسان ساز کنترل شده با ولتاژ پر سرعت با ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی
Publish place: Third National Conference and First International Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical and Mechatronics Engineering
Publish Year: 1394
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 644
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ELEMECHCONF03_0364
Index date: 30 July 2016
یک نوسان ساز کنترل شده با ولتاژ پر سرعت با ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی abstract
در سال های اخیر، برای کوچک تر کردن مقیاس ترانزیستورهای ار میدانی و اصلاح کارایی این ابزار، ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربنی (CNTFET ها) توجه زیادی را به عنوان نماینده تکنولوژی دارای سیلیسیوم اضافی به خود جلب کرده است. در این مقاله روشی در راستای بهینه سازی نوسان ساز کنترل شونده توسط ولتاژ که در حلقه قفل شده فز به کار می رود، ارائه شده است. به کارگیری ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی در طراحی ساختار، موجب کاهش چشمگیر ابعاد شده و به خاطر ویژگی های خاصی که دارند؛ موجب افزایش سرعت، کاهش نویز پذیری، توان حرارتی بالا، توان مصرفی کم و بهبود راندمان ساختار نسبت به نمونه مشابه خود با فناوری CMOS می شوند. همچنین استفاده از ساختار سلف فعال در هر کدام از سلول های تاخیر باعث افزایش سرعت و کاهش سطح چیپ شده است.
یک نوسان ساز کنترل شده با ولتاژ پر سرعت با ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی Keywords:
یک نوسان ساز کنترل شده با ولتاژ پر سرعت با ترانزیستورهای مبتنی بر نانولوله های کربنی authors
امین امانی بنی
دانشجو دانشگاه شهرکرد
نوشین قادری
استادیار دانشگاه شهرکرد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :