طراحی یک تقویت کننده عملیاتی با بهره ی بالا بر مبنای فیدبک مثبت در تکنولوژی 0.18 μm CMOS

یک قسمت مهم در طراحی مدارهای مجتمع آنالوگ طراحی و ساخت جریان ها ولتاژهای مرجع با مقادیر بخوبی تعریف شده می باشد برای اینکه این کار بر روی تراشه و به صورت مجتمع انجام می شود معمولا از مدارهای مرجعی استفاده می شود که مدارهای مرجع گاف انرژی نامیده می شود این مدارها نیاز به تقویت کننده های عملیاتی با بهره ی بالا دارند تا بتوانند تغییرات دمایی بسیار پایینی داشته باشند در این مقاله یک مدار جدید برای تقویت کننده ی عملیاتی پیشنهاد و ارائه می گردد

طراحی یک تقویت کننده عملیاتی با بهره ی بالا بر مبنای فیدبک مثبت در تکنولوژی 0.18 μm CMOS Keywords:

مدار مرجع ولتاژ , ناحیه ی زیر آستانه , تغییرات دمایی , مصرف توان پایین

طراحی یک تقویت کننده عملیاتی با بهره ی بالا بر مبنای فیدبک مثبت در تکنولوژی 0.18 μm CMOS authors

جواد ایزدی

دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک

بهروز حیدری

استاد راهنما و عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک

محمد باقر توکلی

استاد مشاور و رییس گروه الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :

Chih-Jen Yen ; Wen-Yaw Chung and Mely Chen Chi , ...

Yasin, F.M.; Yap, M.T.;and Reaz, M.B.I , "CMOS In strumentation ...

Silveira F, Flandre D., Jespers P.G.A. A gm/ID based methodology ...

Manish Goswami. and Smriti Khanna., "DC Suppressed High Gain Active ...

نمایش کامل مراجع

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/480018

Document National Code:

ICEECS02_013

Index date: 30 July 2016

How to cite:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the references section:

ایزدی، جواد و حیدری، بهروز و توکلی، محمد باقر،1394،طراحی یک تقویت کننده عملیاتی با بهره ی بالا بر مبنای فیدبک مثبت در تکنولوژی 0.18 μm CMOS،2nd International Conference on Electrical Engineering and Computer Science،Tehran،https://civilica.com/doc/480018

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این Paper اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1394، ایزدی، جواد؛ بهروز حیدری و محمد باقر توکلی)
برای بار دوم به بعد: (1394، ایزدی؛ حیدری و توکلی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

Scientometrics

The specifications of the publisher center of this Paper are as follows:

Ranking of Islamic Azad University of Arak

Type of center: دانشگاه آزاد

Paper count: 9,719

In the scientometrics section of CIVILICA, you can see the scientific ranking of the Iranian academic and research centers based on the statistics of indexed articles.

Related papers

مقاله فارسی "طراحی یک تقویت کننده عملیاتی با بهره ی بالا بر مبنای فیدبک مثبت در تکنولوژی 0.18 μm CMOS" توسط جواد ایزدی، دانشجوی کارشناسی ارشد الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک؛ بهروز حیدری، استاد راهنما و عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک؛ محمد باقر توکلی، استاد مشاور و رییس گروه الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک نوشته شده و در سال 1394 پس از تایید کمیته علمی دومین کنفرانس بین المللی مهندسی برق و علوم کامپیوتر پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله مدار مرجع ولتاژ،ناحیه ی زیر آستانه،تغییرات دمایی،مصرف توان پایین هستند. این مقاله در تاریخ 9 مرداد 1395 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 751 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که یک قسمت مهم در طراحی مدارهای مجتمع آنالوگ طراحی و ساخت جریان ها ولتاژهای مرجع با مقادیر بخوبی تعریف شده می باشد برای اینکه این کار بر روی تراشه و به صورت مجتمع انجام می شود معمولا از مدارهای مرجعی استفاده می شود که مدارهای مرجع گاف انرژی نامیده می شود این مدارها نیاز به تقویت کننده های عملیاتی با ... . برای دانلود فایل کامل مقاله طراحی یک تقویت کننده عملیاتی با بهره ی بالا بر مبنای فیدبک مثبت در تکنولوژی 0.18 μm CMOS با 6 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.