سلول های خورشیدی سیلیکونی با و بدون نانو تخلخل های سطحی
Publish place: 14th Iranian Conference on Optics and Photonics
Publish Year: 1386
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,606
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICOPTICP14_037
Index date: 12 March 2008
سلول های خورشیدی سیلیکونی با و بدون نانو تخلخل های سطحی abstract
ما در این مقاله داده های تجربی وابسته به مشخصه های I-V سلول های خورشیدی دو نمونه با سطوح متخلخل (عادی) را تحت شدت های تابشی (Pin) مختلف مورد بررسی قرار داده ایم. این داده ها حاکی ار آنند که چگالی جریان اتصال کوتاه: (1) همواره به ازای هر مقدارPin در نمونه متخلخل بزرگتر از نمونه عادی است، (2) با شدت تابش به طور خطی (Jsc=βPin) افزایش می یابد. محاسبات کمی نشان می دهد : مورد نخست می تواند نتیجه وابستگی مقاومت متوالی به شدت تابش و کوچکتر بوده این کمیت در قطعه متخلخل باشد و مورد دوم وابسته به میزان بازتابندگی نور در سطح نمونه هاست که به نوبه خود بر شیب (β) تاثیر می گذارد.
سلول های خورشیدی سیلیکونی با و بدون نانو تخلخل های سطحی Keywords:
سلول های خورشیدی سیلیکونی با و بدون نانو تخلخل های سطحی authors
نسرین صالحی
دانشکده فیزیک،دانشگاه صنعتی شاهرود، میدان هفتم تیر، شاهرود؛ مرکز آم
حسین عشقی
دانشکده فیزیک،دانشگاه صنعتی شاهرود، میدان هفتم تیر، شاهرود
مرتضی ایزدی فرد
دانشکده فیزیک،دانشگاه صنعتی شاهرود، میدان هفتم تیر، شاهرود
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :