بررسی اثر ضخامت گیت ترانزیستور گیت شناور در بهبود حساسیت دزمترهای اشعه ی گاما توان پایین
Publish place: سومین کنفرانس بین المللی علوم و مهندسی
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 785
This Paper With 14 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICESCON03_328
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
Abstract:
دزمتر اشعه ی گاما وسیله ایست که مقدار دز جذب شده توسط اشعه ی گاما را اندازه می گیرد و این سنسور مجتمع برای کاربردهای پرتوافکنی بالاو حساسیت کم مانند استریلیزاسیون خون استفاده می شود. در این مقاله یک دزمتر ماسفت اشعه ی گاما شامل یک ترانزیستور ماسفت گیت شناور که به عنوان سنسور عمل می کند و یک ترانزیستور مرجع اتصال گیت با هندسه ی یکسان درتکنولوژی 0.13 میکرومتر TSMC شبیه سازی می شوند. ترانزیستور گیت شناوردر مدارات با توان پایین استفاده می شود. دزمتری که در این مقاله استفاده شد از شیوه ی اندازه گیری دز کلی استفاده می کند. منبع اشعه ی گاما کبالت 60 است. دراینجا اثر ضخامت گیت ترانزیستور گیت شناور که به عنوان حسگر استفاده می شود را بر روی حساسیت دزمتر بررسی کردیم. برای این منظور دزمتر را با نرم افزار HSPICE شبیه سازی واثر ضخامت های مختلف ترانزیستور گیت شناور روی حساسیت بررسی شد. درنهایت این نتیجه حاصل شدکه با افزایش ضخامت گیت ترانزیستور گیت شناور حداقل بهبود 25 درصدی حساسیت را شاهد هستیم.
Keywords:
Authors
آرمین افشاری مقدم
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد علوم و تحقیقات خراسان رضوی(نیشابور)، گروه برق، نیشابور، ایران
محمد جوایان صراف
گروه برق، واحد مشهد، دانشگاه آزاد اسلامی، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :