ولتاژ آستانه و خازن بدنه در ماسفت های سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی
Publish place: کنفرانس بین المللی مهندسی برق
Publish Year: 1395
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 969
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICELE01_027
Index date: 11 September 2016
ولتاژ آستانه و خازن بدنه در ماسفت های سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی abstract
در این مقاله یک ترانزیستور سیلیکون روی الماس(SOD) با بدنه ی فوق نازک (UTB) و کانال کوتاه با یک لایه عایق اضافی ارائه شده است. لایه ی عایق اضافی باید گذردهی الکتریکی کمتری نسبت به الماس داشته باشد و بعنوان مثال می تواند SiO2 باشد، لایه ی عایق اول بطور کامل بر روی بستر قرار می گیرد در حالی که لایه ی عایق اضافی به طور جزئی الماس را می پوشاند. ما تاثیر طول لایه ی عایق دوم را بر روی خازن معادل و همچنین تاثیر طول و ضخامت این لایه را بر ولتاژ آستانه ی این ساختار بررسی نموده ایم. ولتاژ آستانه ی کانال جلو و کانال پشت به کمک حداقل پتانسیل سطحی گیت جلو/پشت بدنه ی سیلیکونی بدست می آید مقدار کوچکتر بین ولتاژ آستانه ی کانال جلو و کانال پشت بعنوان ولتاژ آستانه ی قطعه شناخته می شود، که این حداقل پتانسیل سطحی گیت جلو/پشت برابر با می باشد، اختلاف بین تراز فرمی غیرذاتی در ناحیه ی کانال و تراز فرمی ذاتی است
ولتاژ آستانه و خازن بدنه در ماسفت های سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی Keywords:
ولتاژ آستانه و خازن بدنه در ماسفت های سیلیکون روی الماس با یک لایه عایق اضافی authors
زهرا سپهری
دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد
آرش دقیقی
دانشیار دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :