بهبود ویژگی های کیفی دیودهای نورگسیل بر پایه فوتونیک کریستال ها
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 754
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
EMIS01_008
تاریخ نمایه سازی: 11 آبان 1395
Abstract:
در این مقاله یک دیود نورگسیل بر پایه نیمه هادی گالیوم نیتراید ( GaN ) پیشنهاد شده است، که جهت بهبود بازدهی توان نوری خروجی در ساختار آن یک لایه منعکس کننده و دو لایه فوتونیک کریستال به کار رفته است. تغییرات انجام شده و بهینه سازی پارامترهای اساسی آنها افزایشی معادل 133 درصد در توان نوری خروجی نسبت به دیود نورگسیل معمولی را به همراه داشت.
Keywords:
Authors
علی کیان
دانشگاه گلستان،
کیازند فصیحی
دانشگاه گلستان،
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :