طراحی و شبیه سازی یک نوع SOI Mosfet جهت بهبود پارامتر DIBL

در این مقاله یک ساختار جدید برای ترانزیستور FD SOI Mosfet به منظور بهبود پارامتر DIBL و همچنین بهبود اثر خودگرمایی ارائه شده است. ایده اصلی این ساختار تغییر در ضخامت لایه Box ترانزیستور که به منظور بهبود پارامتر DIBL واثر خودگرمایی می باشد

طراحی و شبیه سازی یک نوع SOI Mosfet جهت بهبود پارامتر DIBL Keywords:

اثر خودگرمایی- FD SOI Mosfet , DIBL

طراحی و شبیه سازی یک نوع SOI Mosfet جهت بهبود پارامتر DIBL authors

صمد قلندری

کارشناس ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه

آرش احمدی

استادیار، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :

Colinge, J.P .(2004) , :Silicon on Insulator T echnology :Materials ...

Kumar, M.J., Orouji, A.A. (2005), _ -dimensional analytical threshold voltage ...

Chaudhry, A. , Kumar, M.J. (2004), "Controlling short-channel effects in ...

M.Braccioli, G.Curatola, Y.Yang, E.Sangiorgi, C.iegna, "Simulation of self-heating effects in ...

C. F.-Beranger, S. Denorme, P. Perreau, C. Buj, O. Faynot, ...

A. Chaudhry and M. Jagadesh Kumar, "Controlling Short-Channel Effects in ...

J.P.colinge, "Silicon On Insulator technology: materials to VLSI", 3rd edition, ...

User munual for ISE TCAD. ...

H.Ghanatian, M.Fathipour and H.Talebi, "Nanoscale Ultra Thin Body- Silicon-O n-Insulator ...

T. Tsuchiya, Y. sato and m Tomizawa, "Three Mechanisms Determining ...

نمایش کامل مراجع

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/525322

Document National Code:

NCAEE01_048

Index date: 1 November 2016

How to cite:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the references section:

قلندری، صمد و احمدی، آرش،1393،طراحی و شبیه سازی یک نوع SOI Mosfet جهت بهبود پارامتر DIBL،The first national conference on new achievements in electrical engineering،Saveh،https://civilica.com/doc/525322

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این Paper اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1393، قلندری، صمد؛ آرش احمدی)
برای بار دوم به بعد: (1393، قلندری؛ احمدی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

Scientometrics

The specifications of the publisher center of this Paper are as follows:

Ranking of Islamic Azad University of Kermanshah

Type of center: دانشگاه آزاد

Paper count: 10,762

In the scientometrics section of CIVILICA, you can see the scientific ranking of the Iranian academic and research centers based on the statistics of indexed articles.

مقالات پیشنهادی مرتبط

مقالات فوق بر اساس داده کاوی مقالات مطالعه شده توسط پژوهشگران محاسبه شده است.

Related papers

مقاله فارسی "طراحی و شبیه سازی یک نوع SOI Mosfet جهت بهبود پارامتر DIBL" توسط صمد قلندری، کارشناس ارشد، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه؛ آرش احمدی، استادیار، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات کرمانشاه نوشته شده و در سال 1393 پس از تایید کمیته علمی نخستین همایش ملی دستاوردهای نوین در مهندسی برق پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله اثر خودگرمایی- FD SOI Mosfet – DIBL هستند. این مقاله در تاریخ 11 آبان 1395 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 754 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این مقاله یک ساختار جدید برای ترانزیستور FD SOI Mosfet به منظور بهبود پارامتر DIBL و همچنین بهبود اثر خودگرمایی ارائه شده است. ایده اصلی این ساختار تغییر در ضخامت لایه Box ترانزیستور که به منظور بهبود پارامتر DIBL واثر خودگرمایی می باشد ... . برای دانلود فایل کامل مقاله طراحی و شبیه سازی یک نوع SOI Mosfet جهت بهبود پارامتر DIBL با 6 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.