تاثیر تغییر طول نانوسیم های zno درجریان فتوالکتریکی آنها
Publish place: دومین کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کاربردی
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 452
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEASCONF02_043
تاریخ نمایه سازی: 25 آذر 1395
Abstract:
دراین مقاله قصد داریم تا به بررسی اثر تغییرات طول نانوسیم های zno بر روی میزان جریان نوری انها بپردازیم. برای این منظور ابتدا به محاسبه جریان فتوالکتریکی درنانوسیم ها پرداخته تحت تابش ثابت تاثیر تغییر طول نانوسیم را روی این جریان محاسبه می کنیم. این موضوع را برای تابش های مختلف تکرار کرده و در هربار تکرار طول نانو سیم ها را تغییر می دهیم. مشاهده می شود که هنگامی که طول نانوسیم از حدود 8mM بیشتر شود عملا شاهد تثبیت این جریان خواهیم بود. دلیل این موضوع طول عمر حامل های در نانوسیم ها می باشد که بعد از 8mm باز ترکیب قابل ملاحظه حامل ها باعث تثبیت جریان می شود.
Keywords:
Authors
محدثه کاسه گر
دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک، دانشگاه علامه محدث نوری
سید صالح قریشی
عضو هیئت علمی الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
شهریار تمندانی
عضو هیئت علمی الکترونیک دانشگاه علامه محدث نوری
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :