طراحی تقویت کننده کم نویز بر اساس روش تطبیق نویز اصلاح شده
Publish place: Electronics Industries Quarterly، Vol: 7، Issue: 2
Publish Year: 1395
Type: Journal paper
Language: Persian
View: 590
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
JR_SAIRAN-7-2_008
Index date: 28 December 2016
طراحی تقویت کننده کم نویز بر اساس روش تطبیق نویز اصلاح شده abstract
مصرف توان بالا، یکی از چالش های اساسی در طراحی تقویت کننده کم نویز با روش تطبیق همزمان نویز و امپدانس می باشد. در این مقاله یک روش طراحی برای کاهش توان مصرفی تقویت کننده های کم نویز ارائه شده است. در ابتدا به بررسی اثرات ولتاژهای نقطه کار و ابعاد تزانزیستور برروی پارامترهای نویزی پرداخته خواهد شد. در نظر گرفتن اثر پارامترهای ترانزیستور روی عملکرد نویز، منجر به طراحی تقویت کننده کم نویز با عدد نویز کم و مصرف توان پایین می گردد. سپس یک تقویت کننده کم نویز با روش پیشنهادی در فرکانس 2/ 5 گیگاهرتز، و پهنای باند تقریبا 1 گیگاهرتز در تکنولوژی TSMC CMOS 0.18μm طراحی گردیده که نتایج شبیه سازی پسا جانمایی، نشان دهنده توان مصرفی 2/1mW ، تحت ولتاژ تغذیه 4/ 1 ولت، عدد نویز 2/71dB ،عدد نویز کمینه 2/1dB ، بهره توان 16/38dB ، ایزولاسیون معکوس 40/42dB- ، تلفات بازگشتی ورودی 21/45dB- و تلفات بازگشتی خروجی 23/59dB- است.
طراحی تقویت کننده کم نویز بر اساس روش تطبیق نویز اصلاح شده Keywords:
تقویت کننده کم نویز , تطبیق نویز , تطبیق امپدانس , CMOS RF , ولتاژ پایین , توان پایین , تطبیق همزمان نویز و امپدانس
طراحی تقویت کننده کم نویز بر اساس روش تطبیق نویز اصلاح شده authors
امیر زاهدی
دانشجوی دکتری برق-الکترونیک، دانشگاه صنعتی خواجه نصیر الدین طوسی،
فرهاد اکبری برومند
استادیار دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی خواجه نصیر الدین طوسی،
اسماعیل نجفی اقدم
استادیار دانشکده برق و الکترونیک، دانشگاه صنعتی سهند تبریز