طراحی سلول جدید Full-Adder یک بیتی CMOS ولتاژ و توان پایین با استفاده از تکنیک GDI
Publish place: 14th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1385
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 4,654
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ICEE14_282
Index date: 15 July 2008
طراحی سلول جدید Full-Adder یک بیتی CMOS ولتاژ و توان پایین با استفاده از تکنیک GDI abstract
َPDP یک معیار سنجش مستقیم برای میزان مصرف انرژی در واحد چرخه عملیاتی مدارهای محاسباتی است. کاهش ولتاژ تغذیه سلول Full-Adder برای رسیدن به PDP پایین یک روش مناسب در سطوح بالای طراحی برای بهبود بازدهی توان با حفظ سرعت در مدارهای محاسباتی است. در این مقاله یک طراحی جدید از یک سلول Full-Adder توان پایین یک بیتی ارائه شده است. در این سلول از تکنیک GDI برای تولید توابع XOR و XNOR استفاده گردیده است. نتایج شبیه سازی که توسط نرم افزار HSPICE و بر پایه تکنولوژی 0/18μm CMOS انجام شده، نشان می دهد که این سلول در مقایسه با سایر سلول های Full-Adder دارای میزان توان مصرفی پایین و PDP پایین به خصوص در ولتاژهای زیر 1V می باشد.
طراحی سلول جدید Full-Adder یک بیتی CMOS ولتاژ و توان پایین با استفاده از تکنیک GDI Keywords:
طراحی سلول جدید Full-Adder یک بیتی CMOS ولتاژ و توان پایین با استفاده از تکنیک GDI authors
علیرضا صابرکاری
دانشگاه علم و صنعت ایران، دانشکده مهندسی برق.
علی افضلی- کوشا
دانشگاه تهران، قطب نانو الکترونیک، دانشکده برق و کامپیوتر
شهریار برادران شکوهی
دانشگاه علم و صنعت ایران، دانشکده مهندسی برق.
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :