بررسی اثر جنس گیت بر مشخصه جریان - ولتاژ ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای
Publish place: دومین کنفرانس سراسری دانش و فناوری مهندسی مکانیک و برق ایران
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 521
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
DMECONF02_156
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1395
Abstract:
در این مقاله ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای InAs با استفاده از مدل انتقال رانش نفوذ در محیط نرم افزار سیلواکو شبیه سازی شده است. اثر جنس گیت ترانزیستور بر مشخصه های جریان ولتاژ آن مورد بررسی قرار گرفته شده است. نتایج نشان می دهند که برای گیت از جنس مواد عنصری بیشترین اندازه جریان و رسانندگی مربوط به ژرمانیوم می باشد در صورتی که برای گیت از جنس مواد مرکب بهترین نتیجه مربوط به ماده GaN می باشد.
Keywords:
Authors
غزال ذوالفقاری
گروه مهندسی برق - الکترونیک، پردیس علوم و تحقیقات دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران
حجت اله خواجه صالحانی
گروه مهندسی برق - الکترونیک، واحد دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :