بررسی اثر جنس گیت بر مشخصه جریان - ولتاژ ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای

در این مقاله ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای InAs با استفاده از مدل انتقال رانش نفوذ در محیط نرم افزار سیلواکو شبیه سازی شده است. اثر جنس گیت ترانزیستور بر مشخصه های جریان ولتاژ آن مورد بررسی قرار گرفته شده است. نتایج نشان می دهند که برای گیت از جنس مواد عنصری بیشترین اندازه جریان و رسانندگی مربوط به ژرمانیوم می باشد در صورتی که برای گیت از جنس مواد مرکب بهترین نتیجه مربوط به ماده GaN می باشد.

بررسی اثر جنس گیت بر مشخصه جریان - ولتاژ ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای Keywords:

اثر میدانی , نانوسیم , مدل انتقال , سیلواکو , ژرمانیوم

بررسی اثر جنس گیت بر مشخصه جریان - ولتاژ ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای authors

غزال ذوالفقاری

گروه مهندسی برق - الکترونیک، پردیس علوم و تحقیقات دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران

حجت اله خواجه صالحانی

گروه مهندسی برق - الکترونیک، واحد دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :

_ More Components _ _ ...

_ _ _ _ "High _ ...

_ _ _ _ _ in Si- ...

J.P.Colinge, "FinFETs and Other Multi-Gate Transistors", Springer, pp.8-13, 2008. ...

_ _ _ _ in the quantum- ...

_ _ _ J.Guo, A.Javey, "Ballistic InAs Nanowire Transistors", Nao ...

_ _ _ of Lund, _ ...

Silvaco, ATLAS User's Manual - device simulation software, 2013. ...

M. Sze, Semiconductor devices, physics and technology, 2nd ed, New ...

نمایش کامل مراجع

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/561645

Document National Code:

DMECONF02_156

Index date: 24 February 2017

How to cite:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the references section:

ذوالفقاری، غزال و خواجه صالحانی، حجت اله،1395،بررسی اثر جنس گیت بر مشخصه جریان - ولتاژ ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای،دومین کنفرانس سراسری دانش و فناوری مهندسی مکانیک و برق ایران،Tehran،https://civilica.com/doc/561645

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این Paper اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1395، ذوالفقاری، غزال؛ حجت اله خواجه صالحانی)
برای بار دوم به بعد: (1395، ذوالفقاری؛ خواجه صالحانی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

Scientometrics

The specifications of the publisher center of this Paper are as follows:

Ranking of Islamic Azad University of Damavand

Type of center: دانشگاه آزاد

Paper count: 2,356

In the scientometrics section of CIVILICA, you can see the scientific ranking of the Iranian academic and research centers based on the statistics of indexed articles.

مقالات پیشنهادی مرتبط

مقالات فوق بر اساس داده کاوی مقالات مطالعه شده توسط پژوهشگران محاسبه شده است.

Related papers

مقاله فارسی "بررسی اثر جنس گیت بر مشخصه جریان - ولتاژ ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای" توسط غزال ذوالفقاری، گروه مهندسی برق - الکترونیک، پردیس علوم و تحقیقات دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران؛ حجت اله خواجه صالحانی، گروه مهندسی برق - الکترونیک، واحد دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران نوشته شده و در سال 1395 پس از تایید کمیته علمی دومین کنفرانس سراسری دانش و فناوری مهندسی مکانیک و برق ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله اثر میدانی، نانوسیم، مدل انتقال، سیلواکو، ژرمانیوم هستند. این مقاله در تاریخ 6 اسفند 1395 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 599 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این مقاله ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای InAs با استفاده از مدل انتقال رانش نفوذ در محیط نرم افزار سیلواکو شبیه سازی شده است. اثر جنس گیت ترانزیستور بر مشخصه های جریان ولتاژ آن مورد بررسی قرار گرفته شده است. نتایج نشان می دهند که برای گیت از جنس مواد عنصری بیشترین اندازه جریان و رسانندگی مربوط به ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بررسی اثر جنس گیت بر مشخصه جریان - ولتاژ ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای با 8 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.