بررسی و مقایسه موبیلیتی ترانزیستور بر مبنای Si و MoS2 لایه نازک

با توجه به اینکه تکنولوژی به سمت کمتر شدن حجم می رود هدف از انجام این مقاله استفاده از این مواد در ادوات نیمه هادی مورد استفاده در مدارهای مجتمع مانند ترانزیستور است. بر خلاف گرافن، باند گپ پایین (1-ev2) موجود در لایه های نیمه هادی مولبیدن دی سولفات که بوسیله مهندسی موبیلیتی آن افزایش یافته است یک جذابیت دست یافتنی برای استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان مولبیدن دی سولفات تک لایه با لایه عایق اضافی high-K است که می تواند محدودیت های تجاری سازی آنرا توجیه کند.

بررسی و مقایسه موبیلیتی ترانزیستور بر مبنای Si و MoS2 لایه نازک Keywords:

خواص الکترونیکی , سیلیسن , MoS2 تک لایه , Si/MoS2

بررسی و مقایسه موبیلیتی ترانزیستور بر مبنای Si و MoS2 لایه نازک authors

سمیه عمرانی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

فرحناز ذاکریان

دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

مجید پوراحمدی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :

Seifert G, Terrones H, Terrones M, Jungnickel G, Frauenheim T ...

Cahill DG, Ford WK, Goodson KE, Mahan GD, Majumdar A, ...

Wu BJ, Kuo LH, Depuydt JM, Haugen GM, Haase MA, ...

Rees P, Helfernan JF, Logue FP, Donegan JF, Jordan C, ...

Cahangirov S, Topsakal M, Akturk E, Sahin H, Ciraci S: ...

Li XD, Yu S, Wu SQ, Wen YH, Zhou S, ...

Garcia JC, de Lima DB, Assali LVC, Justo JF: Group ...

DingY, Wang Y, Ni J, Shi L, Shi S, Tang ...

Li W, Chen J, He O, Wang T: Electronic and ...

dimensional crystals from ab initio theory. Phys Rev B 2009, ...

Li Y, Zhou Z, Zhang S, Chen Z: MoS2 nanoribbons: ...

Seifert G, Terrones H, Terrones M, Jungnickel G, Frauenheim 7 ...

نمایش کامل مراجع

Certificate
I'm the author of the paper

Export:

Link to this Paper:

https://civilica.com/doc/567440

Document National Code:

BPJCEE01_121

Index date: 24 February 2017

How to cite:

If you want to refer to this Paper in your research work, you can simply use the following phrase in the references section:

عمرانی، سمیه و ذاکریان، فرحناز و پوراحمدی، مجید،1395،بررسی و مقایسه موبیلیتی ترانزیستور بر مبنای Si و MoS2 لایه نازک،The first national conference on electrical engineering of the Young and Elite Researchers Club،Shiraz،https://civilica.com/doc/567440

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این Paper اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1395، عمرانی، سمیه؛ فرحناز ذاکریان و مجید پوراحمدی)
برای بار دوم به بعد: (1395، عمرانی؛ ذاکریان و پوراحمدی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

Scientometrics

The specifications of the publisher center of this Paper are as follows:

Ranking of Islamic Azad University Yazd Branch

Type of center: دانشگاه آزاد

Paper count: 9,842

In the scientometrics section of CIVILICA, you can see the scientific ranking of the Iranian academic and research centers based on the statistics of indexed articles.

مقالات پیشنهادی مرتبط

مقالات فوق بر اساس داده کاوی مقالات مطالعه شده توسط پژوهشگران محاسبه شده است.

Related papers

مقاله فارسی "بررسی و مقایسه موبیلیتی ترانزیستور بر مبنای Si و MoS2 لایه نازک" توسط سمیه عمرانی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد؛ فرحناز ذاکریان، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد؛ مجید پوراحمدی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد نوشته شده و در سال 1395 پس از تایید کمیته علمی اولین همایش ملی مهندسی برق باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله خواص الکترونیکی، سیلیسن، MoS2 تک لایه، Si/MoS2 هستند. این مقاله در تاریخ 6 اسفند 1395 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 741 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که با توجه به اینکه تکنولوژی به سمت کمتر شدن حجم می رود هدف از انجام این مقاله استفاده از این مواد در ادوات نیمه هادی مورد استفاده در مدارهای مجتمع مانند ترانزیستور است. بر خلاف گرافن، باند گپ پایین (1-ev2) موجود در لایه های نیمه هادی مولبیدن دی سولفات که بوسیله مهندسی موبیلیتی آن افزایش یافته است یک جذابیت دست ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بررسی و مقایسه موبیلیتی ترانزیستور بر مبنای Si و MoS2 لایه نازک با 5 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.