اثر فشار محفظه بررشد لایه های نانو کامپوزیت مس-کربن تهیه شده با کاربرد همزمان روشهای لایه نشانی RF-Sputtering و RF-PECVD
Publish place: 3rd National Conference on Vacuum
Publish Year: 1386
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,795
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NCV03_007
Index date: 22 August 2008
اثر فشار محفظه بررشد لایه های نانو کامپوزیت مس-کربن تهیه شده با کاربرد همزمان روشهای لایه نشانی RF-Sputtering و RF-PECVD abstract
لایه های نانو کامپوزیت مس- کربن به روش همز مان RF-PECVD, RF-Sputtering از گاز استیلن وهدف مس رشد داده ایم. فرایند رشد در ناحیه ای که با تغییر فشار محفظه فرایند به کندوپاش فیزیکی در توان ثابت و فشار بحرانی 1,5 تا 3 پاسکال تبدیل می شود, بررسی می شود. مقدار تخمینی انرژی متوسط یونها در این فشار بحرانی نزدیک به آستانه انرژی اسپاترینگ فیزیکی مس با یونهای استیلن است. با استفاده از این خاصیت و با تنظیم فشار اولیه از 1,3 تا 6,6 پاسکال لایه های نازک مس – کربن با محتویات مس متفاوت رشد داده ایم. محتویات مس این لایه ها با استفاده از پراکندگی راترفورد (RBS) واسپکتروسکپی امواج ایکس (XPS) تعیین شد. تصاویرمیکرسکوپ نیروی اتمی (AFM) و پراش امواج ایکس (XRD) بر تشکیل نانو ذرات مس دلالت دارند.
اثر فشار محفظه بررشد لایه های نانو کامپوزیت مس-کربن تهیه شده با کاربرد همزمان روشهای لایه نشانی RF-Sputtering و RF-PECVD authors
طیبه قدس الهی
دانشکده فیزیک دانشگاه شریف, تهران، مرکز تحقیقات فیزیک نظری وریاضیات, ت
محمدعلی وساقی
دانشکده فیزیک دانشگاه شریف, تهران، مرکز تحقیقات فیزیک نظری وریاضیات, ت
عزیزاله شفیع خانی
مرکز تحقیقات فیزیک نظری وریاضیات, تهران، دانشگاه الزهرا, تهران
پروین اولیایی
پژوهشگاه علوم و تکنولوژی هسته ای, تهران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :