مشخصه یابی آلایش لایه ای سیلیکان - برون در ساختار Si/Si-B/Si رشد یافته به روش رونشانی پرتو ملکولی
Publish place: 3rd National Conference on Vacuum
Publish Year: 1386
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,422
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NCV03_016
Index date: 22 August 2008
مشخصه یابی آلایش لایه ای سیلیکان - برون در ساختار Si/Si-B/Si رشد یافته به روش رونشانی پرتو ملکولی abstract
در این مقاله مشخصه یابی الکتریکی آلایش لایه ای سیلیکان - برون در ساختار Si/Si-B/Si که با سیستم رونشانی پرتو ملکولی (MBE) رشد یافته می پردازیم. پس از رشد ساختار، ولتاژ عرضی هال در گستره دمایی 60 تا 300 کلوین اندازه گیری شده و متعاقبا وابستگی دمایی ضریب هال به دست آمده است. با برازش نظری تغییرات دانسیته سطحی حفره ها نسبت به دما، چگالی و انرژی یونش ناخالصی، فاکتور هال و ضریب بالاکشیدگی تراز فرمی محاسبه شده است.
مشخصه یابی آلایش لایه ای سیلیکان - برون در ساختار Si/Si-B/Si رشد یافته به روش رونشانی پرتو ملکولی authors