مشخصه یابی آلایش لایه ای سیلیکان - برون در ساختار Si/Si-B/Si رشد یافته به روش رونشانی پرتو ملکولی
Publish place: 3rd National Conference on Vacuum
Publish Year: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,368
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCV03_016
تاریخ نمایه سازی: 1 شهریور 1387
Abstract:
در این مقاله مشخصه یابی الکتریکی آلایش لایه ای سیلیکان - برون در ساختار Si/Si-B/Si که با سیستم رونشانی پرتو ملکولی (MBE) رشد یافته می پردازیم. پس از رشد ساختار، ولتاژ عرضی هال در گستره دمایی 60 تا 300 کلوین اندازه گیری شده و متعاقبا وابستگی دمایی ضریب هال به دست آمده است. با برازش نظری تغییرات دانسیته سطحی حفره ها نسبت به دما، چگالی و انرژی یونش ناخالصی، فاکتور هال و ضریب بالاکشیدگی تراز فرمی محاسبه شده است.
Authors