کریستالهای فوتونیکی یک بعدی فلز- دی الکتریک شفاف
Publish place: 3rd National Conference on Vacuum
Publish Year: 1386
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 2,201
متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
NCV03_040
Index date: 22 August 2008
کریستالهای فوتونیکی یک بعدی فلز- دی الکتریک شفاف abstract
در این گزارش، به دلیل بالاتر بودن خواص اپتیکی غیر خطی فلزات نسبت به مواد دیگر و نیز پائین بودن ضریب عبور لایه های فلزی با ضخامت های بیشتر از عمق نفوذ، رفتار و چگونگی تولید کریستالهای فوتونیکی یک بعدی فلز -دی الکتریک با ضریب عبور بالا، مورد بررسی قرار گرفته است. در این نوع از موادِ ترکیبی با خواص اپتیکی غیر خطی بالا، ضریب عبور از سازه Glass /(Cu −Mgf 2)3 / Air در مقایسه با تک لایه ای از مس با ضخامتی معادل با مجموع لایه های مس در سازه بلورهای فوتونیکی، بیش از 50 % افزایش پیدا می کند که تطابق خوبی با نتایج حاصل از محاسبات تئوری بر اساس روش ماتریس انتقال دارد.
کریستالهای فوتونیکی یک بعدی فلز- دی الکتریک شفاف authors
ح.علی مددی
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی گروه فیزیک
ع بنانج
سازمان انرژی اتمی پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای، پژوهشکده لیزر و اپتیک
م حمیدی
دانشگاه شهید بهشتی پژوهشکده لیزر و پلاسما
م نوربخش
دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی گروه فیزیک