استفاده از جاذب حفره ها در ترانزیستورهای اثر میدان فلز- نیمه هادی جهت بهبود ولتاژشکست افزاره

ترانزیستورهای مسفت به دلیل خواص منحصر بفرد خود از جمله سادگی در ساخت، مشخصه سیگنالبه نویز خوب و فرکانس کار بالا یکی از شاخص ترین عناصر مخابراتی در باند مایکروویو می باشند.امروزه به دلیل خواص منحصر به فرد گالیوم آرسناید از آن به جای سیلیکون در ساخت مسفت استفادهمی شود. اخیرا تلاش های قابل توجهی برای بهبود پارامترهای مسفت مانند افزایش ولتاژ شکست، افزایشبهره جریان درین، افزایش حداکثر توان قابل دستیابی، افزایش حداکثر فرکانس نوسان، کاهش خازن هایداخلی و... انجام شدهاست. در این مقاله یک ساختار جدید برای بهبود مشخصه های ترانزیستورهایمسفت ارایه کردهایم که از دو ناحیه کلاهک SiGe بعنوان جاذب حفره ها در زیر نواحی سورس ودرین استفاده می کند. این حفره ها که در اثر مکانیسم یونیزاسیون ضربه ای تولید میشوند توسط دوناحیه کلاهک جذب شده و باعث افزایش موبیلیتی می شوند و نهایتا ولتاژ شکست را بهبود می دهند.همان طور که می دانیم تجمع میدان الکتریکی در ناحیه گیت در سمت درین سبب شکست درترانزیستور می شود. شبیه سازی ها به ما نشان می دهند که این تجمع میدان الکتریکی در گیت تا حدود40 درصد کاهش یافته و به تبع آن ولتاژ شکست از 9 ولت در نوع معمول خود به 30 ولت افزایش پیدامی کند. و این بدان معناست که افزایش قابل توجه در ولتاژ شکست ساختار پیشنهادی رخ داده است.

Keywords:

ترانزیستور فلز- نیمه هادی , ولتاژ بالا , نرم افزار سیلواکو , ولتاژ شکست , حداکثرمصرف توان