سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

طراحی و شبیه سازی ترانزیستور FinFET جهت اصلاح نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش

Publish Year: 1395
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 2,081

This Paper With 19 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

ITCC03_125

Index date: 26 April 2017

طراحی و شبیه سازی ترانزیستور FinFET جهت اصلاح نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش abstract

امروزه با کاهش مقیاس قطعات الکترونیکی در تکنولوژی ساخت بمنظور افزایش تراکم ترانزیستورها در یک تراشه وافزایش کارایی، اثرات نامطلوب به نام اثرات کانال کوتاه (مانند افزایش جریان خاموشی، کاهش سد پتانسیل در سمتدرین، پدیده کاهش ولتاژ آستانه، تونلزنی گیت و ... ) پدیدار می شوند که کارایی قطعه را کاهش می دهند. جهت کاهشاین اثرات، یکی از ساختارهایی که در تکنولوژی های ساخت بسیار مورد توجه قرار گرفته است، FinFET می باشد کهبا ایجاد کنترل الکترواستاتیک بهتر بر روی کانال، اثرات کانال کوتاه (از جمله DIBL, GIDL) و توان نشتی را به طورموثر کاهش و سرعت سوییچینگ قطعه را افزایش می دهد. در تکنولوژی CMOS، مواد عایق نقش بسیار مهمی در نحوهعملکرد قطعه برعهده دارند، که امروزه به دلیل محدودیت در کاهش ضخامت آنها، مواد عایق با ثابت دی الکتریک بالاجهت ساخت با ضخامت های کمتر جایگزین مواد عایق متداول از جمله SiO2 شده اند. بر این اساس، در این تحقیقFinFET با سطح مقطع استوانه ای و مکعبی با تعداد گیت های مختلف طراحی و شبیه سازی شده است و تاثیر عواملمهمی شامل طول گیت، ارتفاع Fin ، ضخامت اکسید گیت، غلظت ناخالصی کانال زیر گیت و نوع مواد سازنده کانال واکسید گیت بر روی مشخصه های ترانزیستور (جریان های روشن و خاموش، شیب زیرآستانه و ولتاژ آستانه) بررسی و ارایهشده است. سپس با مقایسه نتایج بدست آمده برای پارامترها، ساختار بهینه FinFET از نظر شکل سطح مقطع، تعدادگیت ها، ابعاد و مواد بکار برده شده برای رسیدن به مشخصه مورد نظر ترانزیستور یعنی افزایش نسبت جریان روشن بهخاموش انتخاب شده است.

طراحی و شبیه سازی ترانزیستور FinFET جهت اصلاح نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش Keywords:

فین فت , نیمه هادی با باندگپ وسیع , نسبت جریان روشن به خاموش , مواد High-k

طراحی و شبیه سازی ترانزیستور FinFET جهت اصلاح نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش authors

محمدجواد ابراهیمی

دانشجوی کارشناسی ارشد گروه برق ، واحد سیرجان ، دانشگاه آزاد اسلامی ،سیرجان ، ایران

مهران ابدالی

نویسنده مسیول، عضو هیات علمی گروه برق ، واحد سیرجان ، دانشگاه آزاد اسلامی ، سیرجان ، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
_ 09 آبان ماه 1395 (ec لطها ...
J.P.Colinge. (2008). FinFET and other Multi-Gate Transistors. Springer2008. ...
M. Zakir Hossain, and Quazi D. M. Khosru. (2013). Threshold ...
D. Jackuline Moni, R. Malarkodi, and B. Suresh. (2011). Device ...
X. Sun, Victor Moroz, Nattapol D amrongplasit, Changhwan Shin, and ...
K. Sivasankaran, P S Mallick, and T R K Kumar ...
Sanchit Singhal, Sujeet Kumar, Shipra Upadhyay, and R.K. Nagaria. (2013). ...
J.P.Colinge.(20 08). FinFET and other Multi-Gate Transistors. Springer2008. ...
H. Lim, and J.G. Fossum. (1983). Threshold voltage _ thin- ...
Electrotechnic al Conference, IEEEMay 2008. ...
C.R. Manoj. (2009). Improving the DC performance ofBulk FinFETs by ...
D. Nirmal, P. Vijayakumar, Divya Mary Thomas, Binola K. Jebalin, ...
Manish Kumar Rai, Vadthiya Narendar and R. A. Mishra.(2014). Significance ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "طراحی و شبیه سازی ترانزیستور FinFET جهت اصلاح نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش" توسط محمدجواد ابراهیمی، دانشجوی کارشناسی ارشد گروه برق ، واحد سیرجان ، دانشگاه آزاد اسلامی ،سیرجان ، ایران؛ مهران ابدالی، نویسنده مسیول، عضو هیات علمی گروه برق ، واحد سیرجان ، دانشگاه آزاد اسلامی ، سیرجان ، ایران نوشته شده و در سال 1395 پس از تایید کمیته علمی سومین کنگره بین المللی کامپیوتر، برق و مخابرات پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله فین فت،نیمه هادی با باندگپ وسیع، نسبت جریان روشن به خاموش، مواد High-k هستند. این مقاله در تاریخ 6 اردیبهشت 1396 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 2081 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که امروزه با کاهش مقیاس قطعات الکترونیکی در تکنولوژی ساخت بمنظور افزایش تراکم ترانزیستورها در یک تراشه وافزایش کارایی، اثرات نامطلوب به نام اثرات کانال کوتاه (مانند افزایش جریان خاموشی، کاهش سد پتانسیل در سمتدرین، پدیده کاهش ولتاژ آستانه، تونلزنی گیت و ... ) پدیدار می شوند که کارایی قطعه را کاهش می دهند. جهت کاهشاین اثرات، یکی از ساختارهایی که ... . برای دانلود فایل کامل مقاله طراحی و شبیه سازی ترانزیستور FinFET جهت اصلاح نسبت جریان حالت روشن به جریان حالت خاموش با 19 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.