بررسی تغییرات ترارسانایی و منحنی نویز بهینه در ترانزیستورهای مسفت گالیوم نیترید
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 370
This Paper With 10 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF03_161
تاریخ نمایه سازی: 6 اردیبهشت 1396
Abstract:
تکنولوژی نیمه هادی مدرن منجر به تغییرات مناسب قطعات می شود و نقش مهمی را در زندگی روزمره ایفا می کند . اساس ساخت پردازشگرها و تمام دستگاه هایی که به نحوی اطلاعات و عملیاتی را پردازش می کنند، از کامپیوتر شخصی گرفته تا دستگاه های عکس برداری پزشکی و ... نیمه هادی هاست. قطعات مبتنی بر نیمه هادی های گروه 3 به ویژه نیمه هادی گالیوم نیترید به دلیل خواص ذاتی ماده , نوید قطعاتی با قدرت بالا , فرکانس بالا و توان مصرفی پایی را می دهد. امروزه استفاده از موادی همچون گالیوم نیترید که دارای باند انرژی گاف پهن هستند و به علت هدایت حرارتی خوب و ثابت در الکتریک کوچک از آن ها در کاربردهایی با توان بالا، دمای بالا و ادوات الکترونیکی در محیط های تابشی سخت مناسب کرده است. ترانزیستورهای مسفت به علت سادگی در ساختارشان جهت تحلیل، عدم داشتن مشکلات انتشار ناخالصی و لایه های با چگالی متراکم یکی از بهترین ادوات مورد توجه در ساختار مدارهای مجتمع مقیاس بزرگ هستند. در این پژوهش به بررسی تغییرات ترارسانایی و منحنی نویز بهینه به ازای تغییرات ولتاژ های درین-سورس مختلف می پردازیم و اثرات مقاومت پارازیتی و تعدیلات طول گیت را بر پارامترهای مورد نظر بررسی می شود.
Keywords:
Authors
رقیه فرشاد
دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
سید صالح قریشی
دکترای برق الکترونیک، استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور.
حبیب اله آدرنگ
دکترای برق الکترونیک، استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور.
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :