شبیه سازی و تحلیل ترانزیستور اثر میدانی نانو سیم نیمه هادی با هدف بهبود کارایی مشخصه هدایت انتقالی
Publish place: همایش ملی دانش و فناوری مهندسی برق، کامپیوتر و مکانیک ایران
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 644
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
UTCONF01_063
تاریخ نمایه سازی: 19 خرداد 1396
Abstract:
در این مقاله ابتدا با بررسی ترانزیستور اثر میدانی نانو سیم نیمه هادی مستطیلی با گیت فراگیرو شبیه سازی آن و تعیین مقادیربهینه برای مشخصه های طول گیت، غلظت ناخالصی و ارتفاع فین پرداخته شده است و منحنی مشخصه هدایت انتقالی برایمقادیر بهینه شده ترسیم شده است و در نهایت با ارایه ی ساختار پیشنهادی برای ترانزیستور اثر میدانی نانوسیم نیمه هادیمستطیلی با گیت فراگیر که در گیت آن از دو ماده ی آلومینیوم و پلی سیلیکان در مجاورت هم استفاده شده است، ساختارماسفت دو گیتی، شامل دوگیت روی عایق و یک کانال هدایتی (معمولا بدون ناخالصی یا با ناخالصی کم) است که اینکانال به وسیله ی الکترودهای گیت در هر دو طرف احاطه شده است و در این ادوات وظیفه ی کنترل جریان را هر دوگیت برعهده دارند شبیه سازی گردیده و مشخصه هدایت انتقالی آن ترسیم گردیده که بهبود قابل توجهی را نشان میدهد.
Keywords:
Authors
عباس قدیمی
دانشکده فنی و مهندسی، واحدلاهیجان، دانشگاه آزاد اسلامی، لاهیجان، ایران
مهدی غلامی ونن
گروه مهندسی برق، موسسه آموزش عالی مهرآستان، آستانه اشرفیه، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :