بررسی تاثیر پارامترهای ترانزیستورMESFET بر روی عناصر مدار معادل بر پایه تحلیل فیزیکی
Publish place: 12th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1383
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,499
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE12_153
تاریخ نمایه سازی: 13 مهر 1387
Abstract:
در این مقاله روش جدیدی جهت استخراج المانهای مدار معادل سیگنال کوچک ترانزیستورهای مایکروویو و موج میلیمتری بر پایه مدل سازی فیزیکی و حل عددی معادله Drift-Diffusion به روش FDTDارائه شده است . مقایسه نتایج بتا سایر روشها از قبیل روش مونت کارلو ، صحت تکنیک به کار برده شده را نشان می دهد . نحوه تغییرات مقادیر این المانها بر حسب تغییر نقطه بایاس و اندازه فیزیکی ساختار طول گیت – بخش دیگر این مقاله را تشکیل می دهد .
Keywords:
ترانزیستور FDTD , MESFET , معادله Drift-Diffusion , مدل سازی فیزیکی , پارامترهای سیگنال کوچک , مایکروویو و موج میلیمتری
Authors
مسعود موحدی
دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهران)
عبدالعلی عبدی پور
دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهران)
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :