سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

Login
PapersConferencesJournals

بررسی تاثیر پارامترهای ترانزیستورMESFET بر روی عناصر مدار معادل بر پایه تحلیل فیزیکی

Publish place: 12th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1383
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,571

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

DOWNLOAD Paper

Export:

Link to this Paper:
https://civilica.com/doc/59925

Document National Code:

ICEE12_153

Index date: 4 October 2008

بررسی تاثیر پارامترهای ترانزیستورMESFET بر روی عناصر مدار معادل بر پایه تحلیل فیزیکی abstract

در این مقاله روش جدیدی جهت استخراج المانهای مدار معادل سیگنال کوچک ترانزیستورهای مایکروویو و موج میلیمتری بر پایه مدل سازی فیزیکی و حل عددی معادله Drift-Diffusion به روش FDTDارائه شده است . مقایسه نتایج بتا سایر روشها از قبیل روش مونت کارلو ، صحت تکنیک به کار برده شده را نشان می دهد . نحوه تغییرات مقادیر این المانها بر حسب تغییر نقطه بایاس و اندازه فیزیکی ساختار طول گیت – بخش دیگر این مقاله را تشکیل می دهد .

بررسی تاثیر پارامترهای ترانزیستورMESFET بر روی عناصر مدار معادل بر پایه تحلیل فیزیکی Keywords:

بررسی تاثیر پارامترهای ترانزیستورMESFET بر روی عناصر مدار معادل بر پایه تحلیل فیزیکی authors

مسعود موحدی

دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهران)

عبدالعلی عبدی پور

دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهران)

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
X. Zhou and H. S. Tan, ،+Monte Carlo Formulation _ ...
[l]S. M. S. Imtiaz and S. M. El-Ghazaly, «Global modeling ...
M. Ghiamy, A. Abdipour and R. Moeeni, "Field Analysis (Full-Wave) ...
G. Dambrine, A. Cappy, F. Heliodore and E. Playez, ، ...
S. P. Murray and K. P. Roenker, ،0 An analytical ...
K. Tomizawa, Numerical Simulation of Subnicron Sem iconducto r Devices, ...
Y. Feng and A. Hintz, «Sinulation of S ubmicrometer GaAs ...
A. Taflove and S. C. Hagness, Compu tational Ele ctrodynanics: ...
T. Gonzalez, ،+Monte Carlo D etermination of the Intrinsic Snmall-Signal ...
D. L. Scharfetter and D. L. Gummel, *Large Signal Analysis ...
S. M. Imtiaz and S. M. El-Ghazaly, ،، Performance of ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "بررسی تاثیر پارامترهای ترانزیستورMESFET بر روی عناصر مدار معادل بر پایه تحلیل فیزیکی" توسط مسعود موحدی، دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهران)؛ عبدالعلی عبدی پور، دانشگاه صنعتی امیرکبیر (پلی تکنیک تهران) نوشته شده و در سال 1383 پس از تایید کمیته علمی دوازدهیمن کنفرانس مهندسی برق ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله ترانزیستور FDTD، MESFET ، معادله Drift-Diffusion ، مدل سازی فیزیکی ، پارامترهای سیگنال کوچک ، مایکروویو و موج میلیمتری هستند. این مقاله در تاریخ 13 مهر 1387 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1571 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این مقاله روش جدیدی جهت استخراج المانهای مدار معادل سیگنال کوچک ترانزیستورهای مایکروویو و موج میلیمتری بر پایه مدل سازی فیزیکی و حل عددی معادله Drift-Diffusion به روش FDTDارائه شده است . مقایسه نتایج بتا سایر روشها از قبیل روش مونت کارلو ، صحت تکنیک به کار برده شده را نشان می دهد . نحوه تغییرات مقادیر این المانها ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بررسی تاثیر پارامترهای ترانزیستورMESFET بر روی عناصر مدار معادل بر پایه تحلیل فیزیکی با 7 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.