مقایسه مدل های کلاسیک و کوانتومی در شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 345
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF04_268
تاریخ نمایه سازی: 10 تیر 1396
Abstract:
در این مقاله ترانزیستور اثر میدان نانوسیم استوانه ای InAs با استفاده از مدل انتقال رانش نفوذ و همچنین مدل تابع گرین در محیط نرم افزار سیلواکو شبیه سازی شده است. ما در این مقاله به بررسی و مقایسه دو مدل انتقالرانش نفوذ و تابع گرین در مقیاس های کوچک پرداخته ایم. نتایج نشان می دهند که با استفاه از مدل تابع گرین جریان و رسانندگی ترانزیستور نسبت به شبیه سازی ترانزیستور با انتقال رانش نفوذ افزایش می یابد
Keywords:
Authors
غزال ذوالفقاری
گروه مهندسی برق الکترونیک، پردیس علوم و تحقیقات دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران. گروه مهندسی برق الکترونیک، واحد دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران.
حجت اله خواجه صالحانی
گروه مهندسی - برق الکترونیک، واحد دماوند، دانشگاه آزاد اسلامی، دماوند، ایران.
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :