سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

بررسی تاثیر، (وجود پیوندگاه و طول فلزات گیت) بر روی عملکرد ترانزیستور نانوسیمی سیلیکنی تمام گیت استوانه ای چهار فلزی

Publish Year: 1395
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 532

This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

ICTCK03_007

Index date: 1 July 2017

بررسی تاثیر، (وجود پیوندگاه و طول فلزات گیت) بر روی عملکرد ترانزیستور نانوسیمی سیلیکنی تمام گیت استوانه ای چهار فلزی abstract

در این تحقیق عملکرد ترانزیستور نانوسیمی سیلیکنی تمام اطراف گیت استوانه ای بدون پیوند(nnn) و با پیوند (npn) بررسی، شبیه سازی و مقایسه شده است. این مقایسه در دو حالت با طول فلزات گیت مساوی 7.5 نانومتر و طول فلزات گیت مختلف (12و8و6و4) نانومتر انجام گرفته است. در این روش فلز نزدیک سورس بالاترین تابع کار و فلز نزدیک درین کمترین تابع کار را دارا می باشد. طول گیت 3 نانومتر، ضخامت نانوسیم 1 نانومتر، ضخامت(sio2) 1 نانومتر و ضخامت (Hfo2) 3 نانومتر و ضخامت گیت 2 نانومتر می باشد [عینا همانند مقاله] دراین تحقیق از شبیه ساز Atlas Silvaco device simulator برای شبیه سازی استفادهد شده است. متغیرهای مورد بررسی در این تحقیق، ولتاژ آستانه DIBL (کاهش سد پتانسیل ناشی از ولتاژدرین)، Ion(جریان روشنی) و Ioff (جریان خاموشی) می باشد. ولتاژ آستانه در ترانزیستور پیوندی با طول فلزات گیت نامساوی بیشترین مقدار بوده است. Ion در ترانزیستور بدون پیوند با طول فلزات گیت مساوی دارای بیشترین مقدار و Ioff در ترازیستور پیوندی باطول فلزات گیت مساوی کمترین مقدار را دارا می باشد. در حالت کلی، ترانزیستور با پیوند با طول فلزات گیت نامساوی در مقایسه با سایر ترانزیستورها دارای کمترین مقدار DIBL می باشد.

بررسی تاثیر، (وجود پیوندگاه و طول فلزات گیت) بر روی عملکرد ترانزیستور نانوسیمی سیلیکنی تمام گیت استوانه ای چهار فلزی Keywords:

بدون پیوند , تمام اطراف گیت استوانه ای , کاهش سد پتانسیل ناشی از ولتاژدرین , ولتاژ آستانه

بررسی تاثیر، (وجود پیوندگاه و طول فلزات گیت) بر روی عملکرد ترانزیستور نانوسیمی سیلیکنی تمام گیت استوانه ای چهار فلزی authors

اکرم نصرآبادی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات خراسان رضوی(نیشابور)، گروه مهندسی برق، نیشابور، ایران

محمد جوادیان صراف

دانشگاه آزاد اسلامی واحد مشهد، گروه مهندسی برق، مشهد، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
Kouda M, Master thesis .AGuideline for Material Design of Gate ...
ITRS, New York, The International Technology Roadmap for Semiconductors, (2009), ...
Chen M-L, Lin W-K, Chen S-F. A new two-dimensi onal ...
Linin. Zhang, Chenyue Ma, Jin He, Xinnan Lin, Mansun Chan. ...
Lee C-W, Ferain I, Afzalian A, Yan R, Akhavan ND, ...
Colinge J. P, Lee C. W, Dehdashti Akhavan N, Yan ...
_ Vishvakarma S. _ potential distribution of rectangular gate (RecG) ...
Kumar Gupta S, Baidya A , Baishya S. Simulation and ...
Dixit P, Preetam Singh M, Gupta V. A .Study of ...
Arora N. MOSFET _ for VLSI circuit simulation: theory and ...
Suveetha Dhanaselvam P Balamurugan N.B.Analytical approach of a nanoscae triple-material ...
Jin X-S, Liu X, Hyuck-In K, Jong-Ho L. A continuous ...
Li C, Zhuang Y, Han R, Jin G.Subthreshol behavior models ...
and quasi-ballistic transport for cylindrical gat-all-around MOSFET _ _ _ ...
Jena B, Pradhan K P, Dash S, Mishra G P, ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "بررسی تاثیر، (وجود پیوندگاه و طول فلزات گیت) بر روی عملکرد ترانزیستور نانوسیمی سیلیکنی تمام گیت استوانه ای چهار فلزی" توسط اکرم نصرآبادی، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات خراسان رضوی(نیشابور)، گروه مهندسی برق، نیشابور، ایران؛ محمد جوادیان صراف، دانشگاه آزاد اسلامی واحد مشهد، گروه مهندسی برق، مشهد، ایران نوشته شده و در سال 1395 پس از تایید کمیته علمی سومین کنگره بین المللی فن آوری، ارتباطات و دانش پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله بدون پیوند، تمام اطراف گیت استوانه ای، کاهش سد پتانسیل ناشی از ولتاژدرین، ولتاژ آستانه هستند. این مقاله در تاریخ 10 تیر 1396 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 532 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این تحقیق عملکرد ترانزیستور نانوسیمی سیلیکنی تمام اطراف گیت استوانه ای بدون پیوند(nnn) و با پیوند (npn) بررسی، شبیه سازی و مقایسه شده است. این مقایسه در دو حالت با طول فلزات گیت مساوی 7.5 نانومتر و طول فلزات گیت مختلف (12و8و6و4) نانومتر انجام گرفته است. در این روش فلز نزدیک سورس بالاترین تابع کار و فلز نزدیک درین ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بررسی تاثیر، (وجود پیوندگاه و طول فلزات گیت) بر روی عملکرد ترانزیستور نانوسیمی سیلیکنی تمام گیت استوانه ای چهار فلزی با 7 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.