مدلسازی تحلیلی اثرات کانال کوتاه در ترانزیستورهای با گیت دو مادهای احاطه شده در شرایط زیر آستانه
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 445
This Paper With 15 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ITCC04_029
تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1396
Abstract:
در این مقاله با استفاده از مدل پتانسیل دو بعدی بدست آمده و بر اساس مدل تحلیلی ولتاژ آستانه به عنوان ولتاژ گیتی که در اثر آن وارونگیحامل ها در کانال رخ می دهد, به بررسی برخی آثار کانال کوتاه پرداخته شده است. از جمله مهمترین اثرات کانال کوتاه در ترانزیستورماسفت با گیت دومادهای احاطه شده , تغییرات ولتاژ آستانه، کاهش سد پتانسیل با القای درین و شیب زیر آستانه است. مدلسازی اثراتکانال کوتاه بر مبنای مفهوم کاتد مجازی و در شرایط کاری زیر آستانه انجام گرفته است. به عبارتی کاتد مجازی صفحه ای در امتداد طولکانال است که مینیمم پتانسیل درآن اتفاق می افتد. در این ساختارها به دلیل دومادهای بودن گیت و احاطه شدن کامل کانال با گیت, کنترلمطلوبی روی آثار کانال کوتاه خواهیم داشت.در پایان تطبیق مناسب بین نتایج شبیه سازی و مدل های ارایه شده, صحت مدل ها راتایید می کند.
Keywords:
Authors
شکوفه احمدی
گروه مهندسی برق , دانشکده فنی مهندسی ,دانشگاه شهرکرد
سیدامیر هاشمی
گروه مهندسی برق , دانشکده فنی مهندسی ,دانشگاه شهرکرد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :