بررسی تغییرات گاف انرژی و ضریب جذب اپتیکی دی اکسید تیتانیوم در حضورناخالصی

Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 900

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ASEA01_035

تاریخ نمایه سازی: 18 تیر 1396

Abstract:

در این مقاله، با استفاده از نرم افزار شبیهسازی VASP ،تغییرات پهنای گاف انرژی در فازهای آناتاز و روتایل دی اکسید تیتانیوم، در اثر افزودن ناخالصیهایی همچون Pb ،Se ،S و Zr مورد بررسی قرار گرفته است. نتایج نشان میدهند که وجود ناخالصیهای Pb ،Se و S میتوانند گاف انرژی را کاهش دهند، اما Zr چنین اثری را بر گاف انرژی ندارد. همچنین لبه جذب دی اکسید تیتانیوم در حضور ناخالصی به سمت ناحیه انرژی پایینتر انتقال پیدا میکند، که این موضوع میتواند راهی برای افزایش جذب انرژی نور خورشید در سلولهای خورشیدی باشد.

Authors

عباس احمدی

باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان، واحد ملایر، دانشگاه آزاد اسلامی، ملایر، ایران

شکوفه خالقی

باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان، واحد ملایر، دانشگاه آزاد اسلامی، ملایر، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • U. Diebold, "The surface science of titanium dioxide", Surface Science ...
  • X. Chen, S. S. Mao, _ Titanium dioxide nanomaterials synthesis, ...
  • Sh. Khaleghi, "Calculation of Electronic and Optical Properties of Doped ...
  • G. Kresse, J. Hafher, " Ab initio _ lecular-dynam ics ...
  • P. Blaha, K. Schwarz, G. K. H. Madsen, D. Kvasnicka, ...
  • نمایش کامل مراجع