طراحی گیت NOR سه ، پنج ، هفت و نه ورودی مبتنی بر ترانزیستورهای نانو لوله کربنی

نانولوله های کربنی به علت مشخصات الکتریکی فوق العاده خود یکی از بهترین گزینه ها به منظور جایگزینی فناوری مبتنی بر سیلیکون به شمار می روند .ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی یکی از امیدوار کننده ترین جایگزین ها برای دست یابی به مدارات دیجیتال با سرعت بالاتر و ابعاد کوچکتر می باشد. با توجه به اهمیت گیت NOR در بهبود تکنولوژی کامپیوتر و الکترونیک در جهان امروز دارند همچنین ارایه روشی مناسب برای طراحی گیت های NOR با تعداد ورودی بالا مورد توجه می باشد. دراین مقاله گیت های NOR سه ، پنج ، هفت و نه ورودی مبتنی بر ترانزیستور نانو لوله کربنی بر اساس یک روش طراحی جدید با استفاده از HSPICE در تکنولوژی 91 نانو متر شبیه سازی شده اند. بر اساس نتایج بدست آمده گیت های طراحی شده بر اساس ترانزیستور نانو لوله کربنی دارای تعداد ترانزیستور کمتر ، توان مصرفی و تاخیر انتشار بهبود یافته تری نسبت به گیت های NOR بر مبنای تکنولوژی معمولی CMOS هستند.

Keywords:

گیت های NOR , سه و پنج و هفت نه ورودی , ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لولهکربنی , تکنولوژی CMOS