طراحی گیت NAND سه ، پنج ، هفت و نه ورودی مبتنی بر ترانزیستورهای نانولوله کربنی
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 849
This Paper With 14 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NSTE01_053
تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396
Abstract:
نانولوله های کربنی به علت مشخصات الکتریکی فوق العاده خود یکی از بهترین گزینه ها به منظور جایگزینی فناوری مبتنی بر سیلیکون به شمار می روند .ترانزیستور مبتنی بر نانولوله کربنی یکی از امیدوار کننده ترین جایگزین ها برای دست یابی به مدارات دیجیتال با سرعت بالاتر و ابعاد کوچکتر می باشد. با توجه به اهمیت گیت NAND در بهبود تکنولوژی کامپیوتر و الکترونیک در جهان امروز دارند همچنین ارایه روشی مناسب برای طراحی گیت های NAND با تعداد ورودی بالا مورد توجه می باشد.در این مقاله گیت های NAND سه ، پنج ، هفت و نه ورودی مبتنی بر ترانزیستور نانو لوله کربنی بر اساس یک روش طراحی جدید با استفاده از HSPICE در تکنولوژی 91 نانو متر شبیه سازی شده اند. بر اساس نتایج بدست آمده گیت های طراحی شده بر اساس ترانزیستور نانو لوله کربنی دارای تعداد ترانزیستور کمتر ، توان مصرفی و تاخیر انتشار بهبود یافته تری نسبت به گیت های NAND بر مبنای تکنولوژی معمولی CMOS هستند
Keywords:
Authors
میلاد قطب دینی
گروه برق ، واحد یزد ، دانشگاه آزاد اسلامی یزد
فخرالسادات رستگاری
گروه برق ، واحد یزد ، دانشگاه آزاد اسلامی یزد
فرحناز ذاکریان
گروه برق ، واحد یزد ، دانشگاه آزاد اسلامی یزد (مربی)
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :