شبیه سازی و تجزیه و تحلیل اثر دما بر عملکرد سلول خورشیدی تک پیوندی گالیوم آرسناید

Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 519

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ELEMECHCONF04_005

تاریخ نمایه سازی: 11 مرداد 1396

Abstract:

در این مقاله، مدل سلول خورشیدی تک پیوندی گالیوم آرسناید (GaAs) در محیط اطلس نرم افزار سیلواکو پیاده سازی شده و شبیه-سازی سلول مورد نظر به ازای تغییر دما انجام گرفته است. با توجه به نتایج بدست آمده از شبیه سازی، با افزایش دما ولتاژ مدار باز سلول به میزان قابل ملاحضه ای کاهش یافته در حالیکه جریان اتصال کوتاه آن با افزایش همراه بوده است. البته این افزایش بسیار اندک بوده و در نهایت بازده سلول از مقدار 17 درصد در دمای 260 کلوین به 5/13 درصد در دمای 400 کلوین رسیده است که نشان دهنده 44/20 درصد افت می باشد. بنابراین عملکرد سلول مورد نظر بشدت به دمای کاری آن وابسته بوده و در دماهای بالا راندمان سلول به میزان قابل توجهی افت می کند..

Keywords:

سلول خورشیدی گالیوم آرسناید , شبیه سازی , اثر دما , نرم افزار سیلواکو , راندمان سلول

Authors

سعید زمانی

دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

مهرداد ملکیان سورکی

دانشجوی کارشناسی، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی

علیرضا صالحی

استاد، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی