شبیه سازی ترانزیستور ISFET دو گیتی (DGMOSFET)
Publish place: چهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
Publish Year: 1395
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,036
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ELEMECHCONF04_385
Index date: 2 August 2017
شبیه سازی ترانزیستور ISFET دو گیتی (DGMOSFET) abstract
ترانزیستورهای اثر میدانی حساس به یون،در یک حسگر شیمیایی متداول هستند. با این وجود، در اثر شارش صفحه ای، حساسیت دستگاه به طور قابل توجهی کاهش می یابد. وابستگی لگاریتمی بین بار حاضر در سطح الکترولیت عایق و بار منتقل شده با بازتاب آینه ای در کانال هدایت، حساسیت ISFET1 ایده آل معمولی را به 59.2 mV/pH محدود می سازد که به عنوان حد نرنستین نیز شناخته می شود. استفاده از اثر دو گیتی بر فناوری سیلیکون روی عایق SOI موجب بهبود حساسیت ISFET می گردد. ساختارهای آزمون MOSFET به طور کلی همراه با ISFETها در یک ویفر ساخته می شوند. در این مقاله، یک SOI MOSFET دو گیتی که به طور تقریبی کاملا تخلیه شده است (NFD) را با شبیه سازی رفتار آن در ابزار TCAD SILVACO™ و اعتبارسنجی آن با نتایج آزمون NFDSOI MOSFET ساخته شده نشان می دهیم. مشاهده می شود که با اعمال یک پتانسیل به گیت پشتی، می توان ولتاژ آستانه و جریان درین ترانزیستور را کنترل نمود.
شبیه سازی ترانزیستور ISFET دو گیتی (DGMOSFET) authors
الهام خوب جو
دانشجوی دکترا برق دانشگاه آزاد واحد گرمسار ایران
عبدالله عباسی
عضو هیات علمی گروه برق دانشگاه آزاد واحدگرمسار ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :