شبیه سازی اثر رانش یون در سنسورهای ماسفت بر پایه 4H-SiC
Publish place: چهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی در مهندسی برق، مکانیک و مکاترونیک
Publish Year: 1395
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 395
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ELEMECHCONF04_525
Index date: 2 August 2017
شبیه سازی اثر رانش یون در سنسورهای ماسفت بر پایه 4H-SiC abstract
اثرات نفوذ و رانش یونهای سیار در کارایی و عملکرد الکتریکی ترانزیستورهای اثر میدانی با لایه اکسید فلزی بر پایه 4H-SiC، برای کاربردهای سنسوری نظیر سیالات شیمیایی و سنسور های گازی، به خصوص در محیطهای سخت و پر تنش مورد بررسی قرار گرفته است. انحراف و نفوذ این دسته از یونهای سیار در دی الکتریک گیت، به عنوان منبعی برای تغییر در سیگنال سنسور مورد شناسایی قرار گرفت. حرکت این یونها در کنار ویژگیهای الکتریکی بدست آمده، توسط پیاده سازی مدل انحراف-نفوذ در نرم افزار شبیه سازی TCADبا موفقیت اجرا شد1. در واقع در این مقاله سعی شده است تا با استفاده از نتایج بدست آمده در گزارش قبلی 1 و براساس خروجیهای شبیه سازی شده در محیط TCAD، مقادیر ضریب نفوذ و انرژی فعال سازی برای انحراف و نفوذ یون های سیار بر پایه 4H-SiC، اصلاح و بهینه شود. همچنین تمامی مراحل انجام شبیه سازی ساخت و تحلیل I-V ، در هر دو محیط Athena و Atlas تشریح خواهد شد.
شبیه سازی اثر رانش یون در سنسورهای ماسفت بر پایه 4H-SiC Keywords:
شبیه سازی اثر رانش یون در سنسورهای ماسفت بر پایه 4H-SiC authors
مهدی فرامرزی
دانشجوی کارشناسی ارشد - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران غرب
علی پورمحمد
دکترای تخصصی برق - حق التدریس دانشگاه صنعتی امیرکبیر، دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران غرب