سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

محاسبهی ضریب جذب نوری وقدرت نوسان کنندگی برای اندازههای مختلف نقطه ی کوانتومی مکعبی InAs/GaAs

Publish Year: 1387
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 4,126

This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

ICOPTICP15_140

Index date: 30 December 2008

محاسبهی ضریب جذب نوری وقدرت نوسان کنندگی برای اندازههای مختلف نقطه ی کوانتومی مکعبی InAs/GaAs abstract

در این مقاله طیف انرژی و ضریب جذب نوری الکترونها ی محدود شده در نقطه ی کوانتومی مکعبی InAs/GaAs محاسبه می شود. مدل ما برای بررسی خواص نوری و ساختار الکترونیکی برپایهی تقریب جرم موثروبه روش بسط موج تخت است نتایج بدست آمده نشان میدهد که ساختار الکترونیکی، قدرت نوسان کنندگی و ضریب جذب نوری انتقا لات بین ترازی به پارامترهای سامانه ی وابسته بوده و با افزایش حجم قدرت نوسان کنندگی افزایش و ضریب جذب کاهش مییابد

محاسبهی ضریب جذب نوری وقدرت نوسان کنندگی برای اندازههای مختلف نقطه ی کوانتومی مکعبی InAs/GaAs Keywords:

محاسبهی ضریب جذب نوری وقدرت نوسان کنندگی برای اندازههای مختلف نقطه ی کوانتومی مکعبی InAs/GaAs authors

هاجر، کاویانی باغبادرانی.

پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز

منوچهر، کلافی.

پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز

اصغر عسگری

پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
Harrison, P., Quantum wire wells and dots, 456John Wiley (1999). ...
P. Boucaud, S. Sauvage, Infrared ph otodetection with _ iconductor ...
Ngo, C.Y., Effect of size and shape on electronic states ...
S.S. Li, K. Chang, J.B Xia, Effective-mass theory for hierarchical ...
Steiner, T., S emiconductor Nanos tructures for Op toelectronic App ...
. Gunawan, O., Djie H.S., Ooi, B.S, Electronics stautes of ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "محاسبهی ضریب جذب نوری وقدرت نوسان کنندگی برای اندازههای مختلف نقطه ی کوانتومی مکعبی InAs/GaAs" توسط هاجر، کاویانی باغبادرانی.، پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز؛ منوچهر، کلافی.، پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز؛ اصغر عسگری، پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز نوشته شده و در سال 1387 پس از تایید کمیته علمی پانزدهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله ساختار الکترونیکی، قدرت نوسان کنندگی، ضریب جذب اپتیکی هستند. این مقاله در تاریخ 10 دی 1387 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 4126 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این مقاله طیف انرژی و ضریب جذب نوری الکترونها ی محدود شده در نقطه ی کوانتومی مکعبی InAs/GaAs محاسبه می شود. مدل ما برای بررسی خواص نوری و ساختار الکترونیکی برپایهی تقریب جرم موثروبه روش بسط موج تخت است نتایج بدست آمده نشان میدهد که ساختار الکترونیکی، قدرت نوسان کنندگی و ضریب جذب نوری انتقا لات بین ترازی به ... . برای دانلود فایل کامل مقاله محاسبهی ضریب جذب نوری وقدرت نوسان کنندگی برای اندازههای مختلف نقطه ی کوانتومی مکعبی InAs/GaAs با 5 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.