سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

استفاده از کلید نیمه هادی بجای تایروترون در لیزر برمید مس

Publish Year: 1387
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,632

متن کامل این Paper منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل Paper (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دانلود نمایند.

Export:

Link to this Paper:

Document National Code:

PHOTONICS01_011

Index date: 2 January 2009

استفاده از کلید نیمه هادی بجای تایروترون در لیزر برمید مس abstract

در این مقاله ساخت یک مولد تپ جهت دمش لیزر برمید مس با استفاده از کلید IGBT مطرح می گردد.انرژی ذخیره شده در خازن اصلی از طریق کلید فوق در اولیه ی ترانسفورماتور تپ افزاینده اعمال شده و در ثانویه ی ترانسفورماتور پس از دو طبقه متراکم سازی بازمان خیزشی کمتر از 60نانو ثانیه روی لوله لیرز اعمال می گردد.دمای لوله لیزر 410درجه و توان متوسط خروجی آن در نرخ تکرار 10کیلو هرتز 50ملی وات اندازه گیری شد.

استفاده از کلید نیمه هادی بجای تایروترون در لیزر برمید مس Keywords:

پالس سریع -کلید مغناطیسی- لیزر برمید مس-متراکم کننده تپ

استفاده از کلید نیمه هادی بجای تایروترون در لیزر برمید مس authors

منصور زند

پژوهشکده لیزر و اپتیک،پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای -تهران

رسول بری

پژوهشکده لیزر و اپتیک،پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای -تهران

بختیار کیا

پژوهشکده لیزر و اپتیک،پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای -تهران

رضا نشاطی

پژوهشکده لیزر و اپتیک،پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای -تهران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
منصور زند، متراکم کننده های مغناطیسی تپ جریان و بکارگیری ...
رسول بری، سعید بهروزی نیا، عبدالرحمن نامدار، منصور زند، بررسی ...
G. R. Dreifuerst, B. T. Merritt, Development and operation of ...
E. G. Cook, et al. High -average Power Magnetic Modulator ...
D. Chatroux, J. Maury, IGBT:a solid state svitch, SPIE 1859, ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "استفاده از کلید نیمه هادی بجای تایروترون در لیزر برمید مس" توسط منصور زند، پژوهشکده لیزر و اپتیک،پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای -تهران؛ رسول بری، پژوهشکده لیزر و اپتیک،پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای -تهران؛ بختیار کیا، پژوهشکده لیزر و اپتیک،پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای -تهران؛ رضا نشاطی، پژوهشکده لیزر و اپتیک،پژوهشگاه علوم و فنون هسته ای -تهران نوشته شده و در سال 1387 پس از تایید کمیته علمی اولین کنفرانس مهندسی فوتونیک ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله پالس سریع -کلید مغناطیسی- لیزر برمید مس-متراکم کننده تپ هستند. این مقاله در تاریخ 13 دی 1387 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1632 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این مقاله ساخت یک مولد تپ جهت دمش لیزر برمید مس با استفاده از کلید IGBT مطرح می گردد.انرژی ذخیره شده در خازن اصلی از طریق کلید فوق در اولیه ی ترانسفورماتور تپ افزاینده اعمال شده و در ثانویه ی ترانسفورماتور پس از دو طبقه متراکم سازی بازمان خیزشی کمتر از 60نانو ثانیه روی لوله لیرز اعمال می گردد.دمای ... . برای دانلود فایل کامل مقاله استفاده از کلید نیمه هادی بجای تایروترون در لیزر برمید مس با 3 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.