بهبود مقاومت بدنه برای کاهش اثر خودگرمایی در ترانزیستورهای SOI MOSFET
Publish place: First International Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 683
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISBNCONF01_017
تاریخ نمایه سازی: 4 مهر 1396
Abstract:
با پیشرفت تکنولوژیهای زیر میکرومتر، صتعت الکترونیک در جهت کاهش ابعاد ترانزیستورها و بکتربردن ادوات سیلیکونی در مقیاس بزرگ مجتمعسازی پیش میرود . این مقاله طرد جدیدی برای ساختار ترانزیستورهای SOI-MOSFET به عنوان راه کاری مناسب برای کاهش اثرات مخرر پدیده خودگرمایی ارایه می دهد. ایده اصلی در ارایه این ساختار نوین، استفاده از ماده Si۳N۴ میباشد که دارای هدایت گرمایی بیشتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. نتایج به دست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لایه ای می تواند نقش به سزایی در انتقال گرما به لایه های زیرین لایه مدفون داشته و از افزایش گرما در کانال جلوگیری نماید
Keywords:
Authors
فرشته رضایی ارپاتپه
دانشگاه آزاد تهران رشته برق گرایش کنترل
جواد رضایی ارپاتپه
دانشگاه محقق اردبیل رشته برق گرایش قدرت
بنیامین قنبرعالی
دانشگاه آزاد اردبیل رشته برق الکترونیک گرایش دیجیتال
علی قوسی آدم درسی
دانشگاه آزاد اردبیل رشته برق گرایش مدارهای مجتمع خطی