بهبود مقاومت بدنه برای کاهش اثر خودگرمایی در ترانزیستورهای SOI MOSFET
Publish place: First International Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1395
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 757
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ISBNCONF01_017
Index date: 26 September 2017
بهبود مقاومت بدنه برای کاهش اثر خودگرمایی در ترانزیستورهای SOI MOSFET abstract
با پیشرفت تکنولوژیهای زیر میکرومتر، صتعت الکترونیک در جهت کاهش ابعاد ترانزیستورها و بکتربردن ادوات سیلیکونی در مقیاس بزرگ مجتمعسازی پیش میرود . این مقاله طرد جدیدی برای ساختار ترانزیستورهای SOI-MOSFET به عنوان راه کاری مناسب برای کاهش اثرات مخرر پدیده خودگرمایی ارایه می دهد. ایده اصلی در ارایه این ساختار نوین، استفاده از ماده Si۳N۴ میباشد که دارای هدایت گرمایی بیشتری نسبت به اکسید سیلیسیم است. نتایج به دست آمده نشان می دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لایه ای می تواند نقش به سزایی در انتقال گرما به لایه های زیرین لایه مدفون داشته و از افزایش گرما در کانال جلوگیری نماید
بهبود مقاومت بدنه برای کاهش اثر خودگرمایی در ترانزیستورهای SOI MOSFET Keywords:
بهبود مقاومت بدنه برای کاهش اثر خودگرمایی در ترانزیستورهای SOI MOSFET authors
فرشته رضایی ارپاتپه
دانشگاه آزاد تهران رشته برق گرایش کنترل
جواد رضایی ارپاتپه
دانشگاه محقق اردبیل رشته برق گرایش قدرت
بنیامین قنبرعالی
دانشگاه آزاد اردبیل رشته برق الکترونیک گرایش دیجیتال
علی قوسی آدم درسی
دانشگاه آزاد اردبیل رشته برق گرایش مدارهای مجتمع خطی