افزایش راندمان سلول خورشیدی CdTe/CdS با استفاده از لایه ی انباشت اکسیدSnO2 در مقایسه با لایه ی ZnO
Publish place: کنفرانس ملی پژوهش های نوین در برق، کامپیوتر و مهندسی پزشکی
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 658
This Paper With 11 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
KAUCEE01_138
تاریخ نمایه سازی: 29 مهر 1396
Abstract:
ایجاد لایه ی اکسید انباشته ی SnO2 به عنوان بافر در سلول خورشیدی CdTe/CdS و همچنین مقایسه ی آن با لایه ی ZnO از جنبه های نو این پژوهش می باشد. جایگزینی لایه ی اکسید شفاف SnO2 با ضخامت 60 نانومتری و شبیه سازی در محیط نرم افزاری کامسول، به ولتاژی بهتر از دو حالت قبل یعنی 0/65 ولت در مقایسه با 0/46 ولت حاصل از به کارگیری لایه ی ZnO دست یافتیم.
Keywords:
Authors
مهدی کردی
دانشجوی کارشناسی ارشد برق گرایش الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان
حسین سرآبادانی
استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان
شعبان رضایی برجلو
استادیار دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان