آرایه آنتن های میکرواستریپ پچ با ساختار زمین ناقص برای بهبود خواص تشعشعی
Publish Year: 1396
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,039
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ITCT04_092
Index date: 8 November 2017
آرایه آنتن های میکرواستریپ پچ با ساختار زمین ناقص برای بهبود خواص تشعشعی abstract
ساختارهای زمین ناقص برای بهبود خلوص پلاریزاسیون در میدان های تشعشعی مورد استفاده قرار می گیرند از این نوع ساختارها برای اولین بار در سال2005 برای بهبهود خواص تشعشعی آنتن های میکرواستریپ استفاده شد.از آن به بعد چند نوع طراحی و آنتن جدید برای کاربردهای مختلف با این هندسه ساختاری زده شد. در این ساختارها پیش بینی می شد که سطح Xp بین 10 تا 15 دسی بل و به صورتی خاص در صفحه ی H کاهش پیدا کند که در نتیجه بیشتر از 25 دسی بل ایزولاسیون بین coو cross در صفحات اصلی بوجود می آید که باعث بهبود خلوص پلاریزاسیون می گردد،در این مقاله برای چهار نسبت مختلف عرض به طول پچ 8,0و1و3,1و6,1 بررسی هایی صورت گرفته است که به کمک ساختارهای زمین ناقص این نقص های شکسته باعث تاثیر در خواص تشعشعی صفحه ی H می شوند.این کار خلوص پلاریزاسیون رو به ما می دهد که ایزولاسیون بین میدان های co و cross بالای 25 دسی بل است..
آرایه آنتن های میکرواستریپ پچ با ساختار زمین ناقص برای بهبود خواص تشعشعی Keywords:
آرایه آنتن های میکرواستریپ پچ با ساختار زمین ناقص برای بهبود خواص تشعشعی authors
فرزاد کرمی
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق مخابرات میدان دانشگاه سمنان
سجاد حسین پور
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق مخابرات میدان دانشگاه سمنان
پژمان رضایی
دانشیار گروه مخابرات دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان