بهبود جذب در سلول خورشیدی Cu(In1-xGax)Se2 با استفاده ازمکانیزم تله اندازی نورتوسط کانتکت پشتی و نانوساختارهای نقره

کاهش ضخامت لایه جاذب، یک راه متداول برای کاهش هزینه های تولید است[1]. اما با کاهش میزان ضخامت لایه جاذب، میزان جذب نور نیز کاهش می یابد. برای غلبه بر این مشکل، راه کارهای متفاوتی پیشنهاد شده است. یکی از بهترین پیشنهادهایی که برای بهبود جذب در ساختارهای لایه ی نازک عنوان می گردد استفاده از نانوساختارهای فلزی است که می-تواند نور را به تله بیندازد و بازده سلول را بهبود بخشد. نانوذرات فلزی با تبدیل نور ورودی به میدان پلاسمونی می توانند در طیف موج های خاصی، نور ورودی را تقویت نموده و باعث افزایش جذب در سلول شوند. بعلاوه حساس سازی توسط نانوذرات فلزی باعث پراکنش بیشتر نور به داخل ساختار شده و می تواند منجر به جذب بیشتر نور ورودی شود[2]. در این مقاله، نتایج شبیه سازی را برای سلول خورشیدی CIGS بهینه شده به نمایش خواهیم گذاشت. در این سلول، از کانتکت پشتی نقره برای کاهش تلفات نوری و همینطور از یک مکانیزم مهندسی گاف باند و نانوساختارهای نقره، برای تله اندازی نور و افزایش جذب نور در لایه جاذب استفاده شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهند که با این روش می توان میزان جذب نور را به مقدار 56/1%، در مقایسه با سلول بدون مهندسی گاف باند و با کانتکت پشتی Mo ، بهبود بخشید.

Keywords:

سلول خورشیدی CIGS , نانوساختار Ag , بک کانتکت Ag , مهندسی گاف باند