مدل سازی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدانی با کانال دوبعدی MoS2
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 411
نسخه کامل این Paper ارائه نشده است و در دسترس نمی باشد
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NFSI01_199
تاریخ نمایه سازی: 17 آبان 1396
Abstract:
MoS2 یک لایه نازک از جنس مولیبدنیوم و گوگرد بوده که یک ماده نیمه هادی محسوب می شود. در حقیقت مواد لایه ای دیچالکوجناید فلزی گذری (TMD) کلاس دیگری از مواد دوبعدی را تشکیل می دهند که می توانند به صورت تک لایه یا چندلایه آماده شوند و وابسته به تعداد لایه هایشان، خواص الکترونیکی متفاوتی از خود نشان می دهند. در این مقاله مدل تنگ بست مناسب برای شبیه سازی ترانزیستور با کانال MoS2 ارایه می شود که برای دی کاکوژن ها در هر دو حالت تک لایه و چند لایه معتبر است. یک پارامتر سازی که شامل جفت شدگی اسپین-اوربیتال می شود نیز ارایه می شود. این مدل یک نقطه شروع مناسب برای محاسبات انتقال الکترونی اتمی، مقیاس بزرگ واقعی ارایه می دهد. بعد از انجام محاسبات به این نتیجه رسیدیم که Vds=1.5 و -.5
Keywords:
Authors
مهدی سادات
دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک، اراک، ایران
اشکان حری
دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک، اراک، ایران