اثر میدان مغناطیسی خارجی و حضور ناخالصی هیدروژنی بر ضریب جذب اپتیکی خطی و غیر خطی مرتبه سوم نقاط کوانتومی GaAs
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 502
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
FCONF01_021
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1396
Abstract:
در این مقاله به برر سی اثر میدان مغناطیسی بر ضریب جذب اپتیکی نقاط کونتومی کروی GaAs در حضور ناخالصی هیدروژنی میپردازیم. ویژه مقادیر و ویژه توابع با استفاده از تقریب جرم موثر و روش المان محدود محاسبه شده اند. سپس ضریب جذب اپتیکیخطی و غیر خطی مرتبه سوم به ازای مقادیر متفاوت شدت، زمان واهلش و اثر حضور ناخالصی مورد بررسی قرار گرفته اند. نتایجبدست آمده نشان می دهند که با افزایش میدان مغناطیسی ضریب جذب کل کاهش می یابد. همچنین با افزایش زمان واهلش و یاشدت ضریب جذب اپتیکی کاهش میابد.
Keywords:
Authors
امین محمدعلی زاده
گروه فیزیک، واحد مرودشت، دانشگاه آزاد اسلامی، مرودشت، ایران- دانش آموخته کارشناسی ارشد
مجتبی ثروت خواه
گروه فیزیک، واحد مرودشت، دانشگاه آزاد اسلامی، مرودشت، ایران- عضو هییت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد مرودشت