بررسی تحلیلی چگونگی ایجاد میکروساختار منظم بر سطح سیلیکون تحت تابش لیزر اگزایمر ArF در مجاورت گاز SF6
Publish place: 10th Iranian Seminar on Surface Engineering
Publish Year: 1388
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,108
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ISSE10_004
Index date: 21 March 2009
بررسی تحلیلی چگونگی ایجاد میکروساختار منظم بر سطح سیلیکون تحت تابش لیزر اگزایمر ArF در مجاورت گاز SF6 abstract
تابش لیزر اگزایمر ArF بر سطح سیلیکون در مجاورت گاز SF6 در بازه ی فشاری معینی باعث ایجاد میکروساختار خودانگیخته منظمی بر سطح سیلیکون می گردد. تغییرات دز تابش لیزر و نیز فشار گاز SF6 سبب تغییر در خواص هندسی میکروساختار می گردد. در این مقاله مدلی برای توجیه چگونگی ایجاد این میکروساختار خودانگیخته و نیز توضیح ارتباط میان خواص هندسی و دو عامل دز لیزر تابشی و فشار گاز SF6 ارائه گردیده است.
بررسی تحلیلی چگونگی ایجاد میکروساختار منظم بر سطح سیلیکون تحت تابش لیزر اگزایمر ArF در مجاورت گاز SF6 Keywords:
بررسی تحلیلی چگونگی ایجاد میکروساختار منظم بر سطح سیلیکون تحت تابش لیزر اگزایمر ArF در مجاورت گاز SF6 authors
حمیدرضا دهقانپور
دانشکده مهندسی هسته ای و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر
پرویز پروین
دانشکده مهندسی هسته ای و فیزیک ، دانشگاه صنعتی امیرکبیر