بررسی تحلیلی چگونگی ایجاد میکروساختار منظم بر سطح سیلیکون تحت تابش لیزر اگزایمر ArF در مجاورت گاز SF6
Publish place: 10th Iranian Seminar on Surface Engineering
Publish Year: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,017
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISSE10_004
تاریخ نمایه سازی: 1 فروردین 1388
Abstract:
تابش لیزر اگزایمر ArF بر سطح سیلیکون در مجاورت گاز SF6 در بازه ی فشاری معینی باعث ایجاد میکروساختار خودانگیخته منظمی بر سطح سیلیکون می گردد. تغییرات دز تابش لیزر و نیز فشار گاز SF6 سبب تغییر در خواص هندسی میکروساختار می گردد. در این مقاله مدلی برای توجیه چگونگی ایجاد این میکروساختار خودانگیخته و نیز توضیح ارتباط میان خواص هندسی و دو عامل دز لیزر تابشی و فشار گاز SF6 ارائه گردیده است.
Keywords:
Authors
حمیدرضا دهقانپور
دانشکده مهندسی هسته ای و فیزیک، دانشگاه صنعتی امیرکبیر
پرویز پروین
دانشکده مهندسی هسته ای و فیزیک ، دانشگاه صنعتی امیرکبیر