بررسی ساختار نواری و چگالی حالت ها در ترکیبات (Y=Ga,Ge) UY2 با استفاده از روش شبه پتانسیل
Publish place: The 3rd National Conference of Materials Engineering, Chemical engineering and Industrial safety
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 416
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
MCIS03_105
تاریخ نمایه سازی: 7 اسفند 1396
Abstract:
در این مقاله ساختار نواری و چگالی حالت های ترکیبات (Y=Ga,Ge)2UY با استفاده از روش شبه پتانسیل در چارچوب نظریه تابعی چگالی با استفاده از کد محاسباتی کوانتوم اسپرسو انجام شده است. شبه پتانسیل مورد استفاده تحت شرایط فوق نرم ساخته شده و تابعی تبادلی همبستگی آن از نوع GGA-PBE می باشد. نتایج به دست آمده از ساختار نواری و چگالی حالت ها نشان می دهد که این ترکیبات فلز بوده و دارای خاصیت مغناطیسی می باشند که با دیگر داده های موجود سازگاری دارند
Keywords:
Authors
حمدا.. صالحی
دانشیار، دانشکده علوم، گروه فیزیک دانشگاه شهید چمران اهواز
فاطمه اسدی
دانشجو، دانشکده علوم، گروه فیزیک دانشگاه شهید چمران اهواز
پیمان امیری
دانشیار، دانشکده علوم، گروه فیزیک دانشگاه شهید چمران اهواز