تحلیل و مدل سازی ترانزیستورهای اثرمیدان مبتنی بر نانولوله کربنی
Publish place: Fifth International Conference on Electrical and Computer Engineering with Emphasis on Indigenous Knowledge
Publish Year: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 399
This Paper With 14 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF05_076
تاریخ نمایه سازی: 21 اردیبهشت 1397
Abstract:
با رشد سریع فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و ورود به مرز فناوری نانو، چالشهای فراوانی را نیز فراروی متخصصین الکترونیک قرار داده است. برخی از این چالشها مربوط به فرآیند و فناوری ساخت مدارهای الکترونیکی و بخشی نیز مربوط به کوچک شدن ابعاد ترانزیستورها است. این مسایل منجرب به جایگزینی مواد جدیدی به منظور استفاده در مدارهای الکترونیکی شده است. یکی از مواد مهم در نانو الکترونیک که به دلیل خواص الکتریکی، حرارتی، مکانیکی در جوامع علمی مورد توجه قرار گرفته است، نانولوله کربن میباشد، یکی از مشکلاتی که برای افزارهای مورد بررسی قرار میگیرد و تاثیری که روی عملکرد ومشخصات افزاره دارد اثر خود گرمایی میباشد به طوری که ثابت شده است دمای ترانزیستور با وجود این اثر بالا میرود و افزایش دما باعث کاهش عملکرد ترانزیستور میشود.در این مقاله ساختار ترانزیستور اثرمیدان نانولوله کربنی از لحاظ ساختار هندسی، نحوه عملکرد، خواص الکتریکی و الکتروگرمایی به خصوص اثر خود گرمایی، فرکانس قطع، مشخصه ترانزیستور و ولتاژ آستانه مورد بحث قرار میگیرد
Keywords:
Authors
کاظم پورچیت ساز
دانشجو ، مهندسی برق- الکترونیک-دانشگاه آزاد اسلامی، یزد
محمدرضا شایسته
استادیار،مهندسی برق- الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد
فخرالسادات رستگاری
مربی، مهندسی برق- الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد